买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：江苏盖姆纳米材料科技有限公司

摘要：本发明涉及一种室温高频太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测研究技术领域。包括高载流子迁移二维材料、场效应晶体管和太赫兹天线，场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极，源电极、栅电极和漏电极集成于带有介质层的衬底上，太赫兹天线与场效应晶体管的三个电极相连；高载流子迁移二维材料上下表面分别包覆二维层状介电材料，与漏电极连接的和与源电极连接的太赫兹天线端与高载流子迁移二维材料欧姆接触，与栅电极连接的太赫兹天线端通过二维层状介电材料与高载流子迁移率二维材料为肖特基接触。本申请有效耦合高频太赫兹波，避免高载流子迁移率二维材料制备时引起的载流子迁移率降低的问题，实现对高频太赫兹波有效探测。

主权项：1.一种室温高频太赫兹波探测器，其特征在于：包括高载流子迁移率二维材料（1）、高载流子迁移率场效应晶体管和高频的太赫兹天线（3），所述高载流子迁移率场效应晶体管具有三个电极：源电极（5）、栅电极（4）和漏电极（6），所述源电极（5）、栅电极（4）和漏电极（6）分别集成于带有介质层（7）的衬底（8）上，高频的太赫兹天线（3）与高载流子迁移率场效应晶体管的三个电极相连，实现高载流子迁移率场效应晶体管与高频的太赫兹天线（3）集成设置；所述高载流子迁移率二维材料（1）上下表面分别包覆二维层状介电材料（2），与所述漏电极（6）连接的太赫兹天线（3）端与高载流子迁移率二维材料（1）形成欧姆接触，与所述源电极（5）连接的太赫兹天线（3）端与高载流子迁移率二维材料（1）形成欧姆接触，与所述栅电极（4）连接的太赫兹天线（3）端通过二维层状介电材料（2）与高载流子迁移率二维材料（1）形成肖特基接触；与所述源电极（5）连接的太赫兹天线（3）端和与漏电极（6）连接的太赫兹天线（3）端为非对称结构；与所述源电极（5）连接的太赫兹天线（3）端和与所述栅电极（4）连接的太赫兹天线（3）端均分别具有横向天线（3.1）和竖向天线（3.2），所述竖向天线（3.2）设于横向天线（3.1）上，所述竖向天线（3.2）与电极连接，所述横向天线（3.1）一端设有引线电极（3.3），与所述源电极（5）连接的太赫兹天线（3）端通过引线电极（3.3）与所述高载流子迁移率二维材料（1）连接，与所述栅电极（4）连接的太赫兹天线（3）端通过引线电极（3.3）与上面的所述二维层状介电材料（2）连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏盖姆纳米材料科技有限公司 一种室温高频太赫兹波探测器及其制备方法