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申请/专利权人：中国计量科学研究院
摘要：本申请涉及一种基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法。每个第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第一端。每个第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第二端。环路结构为具有第一端和第二端的不封闭环路。通过环路结构将第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构与第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构连接，使得SQUID环路中形成串联电感结构。从而，当获得一个磁通的时候，SQUID环路的变化为磁通量子Ф0的整数倍，不会对V‑Ф0曲线周期是Ф0有任何改变，进而能有效避免SQUID环路的相位偏移，解决了并联型电感结构导致的相位偏移问题。
主权项：1.一种基于SQUID阵列的超导磁通激励开关，其特征在于，包括多个环路结构（20）、多个第一约瑟夫森结结构（510）、多个第二约瑟夫森结结构（520）、多个正极连接结构（710）以及多个负极连接结构（720）；每个所述环路结构（20）具有第一端与第二端；每个所述第一约瑟夫森结结构（510）的第一超导薄膜结构，设置于所述环路结构（20）的第一端；每个所述第二约瑟夫森结结构（520）的第一超导薄膜结构，设置于所述环路结构（20）的第二端；每个所述正极连接结构（710）与所述环路结构（20）的第一端连接；每个所述负极连接结构（720）分别与所述第一约瑟夫森结结构（510）的第二超导薄膜结构和所述第二约瑟夫森结结构（520）的第二超导薄膜结构连接；一个所述环路结构（20）对应的所述负极连接结构（720）与相邻一个所述环路结构（20）对应的所述正极连接结构（710）连接；每个所述环路结构（20）包括第一结构（210）与第二结构（220），所述第一结构（210）一端与所述第一约瑟夫森结结构（510）的第一超导薄膜结构连接，所述第一结构（210）另一端与所述第二结构（220）一端连接，所述第二结构（220）另一端与所述第二约瑟夫森结结构（520）的第一超导薄膜结构连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国计量科学研究院 基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法
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