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申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该功率器件包括：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底的一侧形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层远离碳化硅衬底的一侧生长至少一层硅膜层；在至少一层硅膜层远离碳化硅外延层的一侧形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽贯穿至少一层硅膜层；在栅极沟槽内形成沟槽型栅极结构；在至少一层硅膜层远离碳化硅外延层的一侧形成源极沟槽，其中，源极沟槽贯穿至少一层硅膜层；在源极沟槽内形成沟槽型源极结构；在碳化硅衬底远离碳化硅外延层的一侧形成漏极。本发明实施例提供的技术方案提升了功率器件的电子迁移率，降低了功率器件的导通电阻。
主权项：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底的一侧形成碳化硅外延层；在所述碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底的一侧生长至少一层硅膜层；在所述至少一层硅膜层远离所述碳化硅外延层的一侧形成栅极沟槽，其中，所述栅极沟槽贯穿所述至少一层硅膜层；在所述栅极沟槽内形成沟槽型栅极结构；在所述至少一层硅膜层远离所述碳化硅外延层的一侧形成源极沟槽，其中，所述源极沟槽贯穿所述至少一层硅膜层；在所述源极沟槽内形成沟槽型源极结构；在所述碳化硅衬底远离所述碳化硅外延层的一侧形成漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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