龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本申请提供一种存储块，存储单元及存储块的制程方法。存储块包括：存储阵列。存储阵列包括多列半导体堆叠条状结构，多列半导体堆叠条状结构沿行方向间隔分布，每列堆叠条状结构沿列方向延伸，且每列堆叠条状结构在高度方向上包括层叠的至少一漏区半导体条、至少一沟道半导体条和至少一源区半导体条。其中，半导体堆叠条状结构中的漏区半导体条和或所述源区半导体条包括低阻导电结构体。存储单元对应该存储块的最小工作单元。由于该存储块中的漏区半导体条和或所述源区半导体条具备低阻导电结构体，因此在漏源区域具备较低电阻，具备较好的导电性及响应速度。
主权项：1.一种存储块，其特征在于，包括：存储阵列，包括多列半导体堆叠条状结构，所述多列半导体堆叠条状结构沿行方向间隔分布，每列所述堆叠条状结构沿列方向延伸，且每列所述堆叠条状结构在高度方向上包括层叠的至少一漏区半导体条、至少一沟道半导体条和至少一源区半导体条；其中，所述半导体堆叠条状结构中的所述漏区半导体条和或所述源区半导体条包括低阻导电结构体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 存储块及其埋层制程方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号