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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开一种基于平面谷拓扑晶体的拓扑双工器结构，属于电子信息技术领域，公共通道包括多个正六边形的拓扑晶体，每个拓扑晶体的上层金属贴片都由具有C3对称性的六边形和网格线组成，金属贴片印刷在介质基板上，介质基板下层贴有金属接地板；将两种朝向的多个拓扑晶体进行排列组成公共通道；低频通道包括双边缘态拓扑波导，双边缘态拓扑波导由正向晶体和反向晶体的晶体组成；高频通道包括边缘态能带范围处于高频部分的拓扑晶体；低频通道一侧与公共通道的畴壁相连，另一侧与高频通道的畴壁相连。本发明实现了高隔离度和高传输效率的良好工作性能。同时所述双工器还具有与微带线直接高效互联以及免疫加工缺陷和路径弯折的鲁棒性。
主权项：1.一种基于平面谷拓扑晶体的拓扑双工器结构，其特征在于，包括：公共通道1，其包括多个正六边形的拓扑晶体，每个拓扑晶体的上层金属贴片都由具有C3对称性的六边形和网格线组成，金属贴片印刷在介质基板上，介质基板下层贴有金属接地板；将两种朝向的多个拓扑晶体进行排列组成公共通道，六边形金属贴片之间通过金属网格线连接；低频通道3，其包括双边缘态拓扑波导2，双边缘态拓扑波导2由多层正向拓扑晶体以及单层反向拓扑晶体组成；高频通道4，其包括边缘态能带范围处于高频部分的拓扑晶体；低频通道3一侧与公共通道1的畴壁相连，另一侧与高频通道4的畴壁相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 基于平面谷拓扑晶体的拓扑双工器结构
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