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申请/专利权人：江苏卓远半导体有限公司
摘要：本发明公开一种大直径硅晶棒生长工艺，包括通过直拉法生长单晶硅晶棒，其中在生长单晶硅的放肩阶段，将硅溶液的温度逐步降至1450℃‑1550℃，坩埚的温度逐步降至1400℃‑1500℃，然后保持温度；逐步降温的同时将籽晶的拉速逐步降低至30mmh‑35.8mmh内波动，使得硅单晶晶棒的的直径渐渐增大所需大小；其中在生长单晶硅的等径阶段，保持放肩阶段的末段拉速。本发明的有益效果是：本技术方案首先通过对坩埚侧壁的进行温度的精准控制，使得坩埚侧壁的温度低于硅溶液的温度，其温度差在50‑100℃，这样就可以降低硅溶液内的硅元素在坩埚侧壁附近的活性，同时会引起单晶生长不良的因子则会聚集在坩埚侧壁附近，从而使得大直径单晶硅晶棒的生长的成功率和品质均得到提高。
主权项：1.一种大直径硅晶棒生长工艺，包括通过直拉法生长单晶硅晶棒，其特征在于：其中在生长单晶硅的放肩阶段，将硅溶液的温度逐步降至1450℃-1550℃，坩埚的温度逐步降至1400℃-1500℃，然后保持温度；逐步降温的同时将籽晶的拉速逐步降低至30mmh-35.8mmh内波动，使得硅单晶晶棒的的直径渐渐增大所需大小；其中在生长单晶硅的等径阶段，保持放肩阶段的末段拉速，通入氩气；保持硅单晶的晶棒与坩埚以相反的方向进行旋转，硅单晶的晶棒与坩埚的旋转会在坩埚内的硅溶液内形成对流旋涡，其对流旋涡的最大横截面的半径为R，硅溶液的液面表面积为S0，其中πR2S0＜0.75。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏卓远半导体有限公司 一种大直径硅晶棒生长工艺
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