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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种基于SiC器件制备的碳化硅器件表面碳保护膜去除方法，涉及碳化硅器件加工技术领域，本发明包括S1退火软化，对碳化硅器件待清除部位进行加热退火处理，S2计算反应体积，计算碳化硅器件表面碳保护膜的堆积厚度以及覆盖面积，并计算待反应材料量，S3制备溶液，准备酸性溶液以及催化剂，S4超声波清除，对完成反应的碳化硅器件表面进行超声波清洗处理，将反应后的碳保护膜残渣进行去除，S5残余检测，使用发射光谱法对处理完成的碳化硅器件表面进行残余物质检测。本发明对反应溶液的剂量进行精准控制，可有效的防止误差影响碳保护膜的去除操作，并且通过发射光谱法能够有效且科学的检测碳保护膜是否完全去除，提高了整个操作的准确性。
主权项：1.一种基于SiC器件制备的碳化硅器件表面碳保护膜去除方法，其特征在于，包括以下步骤：S1退火软化，对碳化硅器件待清除部位进行加热退火处理，将表面覆盖的碳保护膜进行软化处理；S2计算反应体积，计算碳化硅器件表面碳保护膜的堆积厚度以及覆盖面积，并计算待反应材料量；S3制备溶液，准备酸性溶液以及催化剂，并将二者混合制备成反应溶液，将反应溶液涂抹在软化后的碳保护膜上；S4超声波清除，对完成反应的碳化硅器件表面进行超声波清洗处理，将反应后的碳保护膜残渣进行去除；S5残余检测，使用发射光谱法对处理完成的碳化硅器件表面进行残余物质检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 一种基于SiC器件制备的碳化硅器件表面碳保护膜去除方法
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