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申请/专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种减少晶格适配的发光二极管制作方法，包括：在衬底上生长BNO缓冲层；在所述BNO缓冲层上生长过渡层；在所述过渡层上生长GaN外延层。本发明还公开了一种减少晶格适配的发光二极管。本发明还公开了一种减少晶格适配的发光二极管，包括衬底、形成于所述衬底上的BNO缓冲层、形成于所述BNO缓冲层上的过渡层以及形成于所述过渡层上的GaN外延层。本发明利用BNO缓冲层和过渡层减少衬底与GaN外延层的晶格适配，进而减小初始应力，降低材料生长过程中的错位和缺陷密度，提高GaN外延层生长的晶体质量，从而提高了发光二极管的量子效率、减少了漏电通道、提升了抗ESD能力。
主权项：1.一种减少晶格适配的发光二极管制作方法，其特征在于：包括：在衬底上生长BNO缓冲层；在所述BNO缓冲层上生长过渡层；在所述过渡层上生长GaN外延层。
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百度查询： 东莞市中晶半导体科技有限公司 减少晶格适配的发光二极管制作方法及发光二极管
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