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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明公开了一种计算掺杂材料在多散射机制下晶格热导率的方法，步骤包括：S1，构建具有掺杂缺陷的超胞晶体结构；S2，计算三声子散射过程的相关物理量；S3，判断掺杂体系是异价掺杂还是等电子掺杂，若为异价掺杂，则计算电声散射率，进入S4；若为等电子掺杂，则直接进入S4；S4，计算晶界散射率；S5，计算得到总声子散射率；S6，计算掺杂体系在多散射机制下的晶格热导率。本发明针对处理掺杂缺陷材料热输运性质传统方法的局限性，提出了新的解决办法。可同时处理掺杂体系中的多种散射机制，使理论模拟的晶格热导率精度进一步提升；为材料性能优化和材料设计提供理论指导。
主权项：1.一种计算掺杂材料在多散射机制下晶格热导率的方法，其特征在于，步骤包括：S1，构建具有掺杂缺陷的超胞晶体结构；S2，基于所述超胞晶体结构，计算三声子散射过程的相关物理量；S3，基于所述相关物理量，判断掺杂体系是异价掺杂还是等电子掺杂，若为异价掺杂，则计算电声散射率，进入S4；若为等电子掺杂，则直接进入S4；S4，基于所述掺杂体系的晶粒尺寸，结合所述相关物理量，计算晶界散射率；S5，利用马西森定则，计算得到总声子散射率；S6，基于所述总声子散射率和所述相关物理量，获得所述掺杂体系在多散射机制下的晶格热导率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种计算掺杂材料在多散射机制下晶格热导率的方法
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