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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：示例性半导体处理方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的侧壁延伸。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以及使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的一部分。接触可氧化含硼材料。
主权项：1.一种半导体处理方法，包括：在基板上沉积含硼材料，其中所述含硼材料沿着所述基板中的一个或多个特征的侧壁延伸；形成含氧前驱物的等离子体；以及使所述基板与所述含氧前驱物的等离子体流出物接触，其中所述接触蚀刻所述基板中的所述一个或多个特征的一部分，并且其中所述接触氧化所述含硼材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于等离子体蚀刻的侧壁钝化
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