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申请/专利权人：武汉长进光子技术股份有限公司
摘要：本发明提供了抗辐射掺铒光纤及其制备方法与应用，上述方法包括：在石英反应管的内壁沉积疏松层；将石英反应管浸泡在含有Er3+、Ga3+、La3+，Al3+的掺杂溶液中，并在干燥气氛下干燥，得到第一掺杂石英管，掺杂溶液中Ga3+的配制浓度为0.2~500gL；在第一掺杂石英管的疏松层上沉积Ge2O3层，得到第二掺杂石英管；将第二掺杂石英管烧缩成石英预制棒后插入石英套管中，并在拉丝塔中拉制成抗辐射掺铒光纤；本发明提供的抗辐射掺铒光纤的制备方法通过Ga3+的掺杂可以减少抗辐射掺铒光纤的噪音系数，同时减少背景损耗，进一步提高了抗辐射掺铒光纤的综合性能。
主权项：1.一种抗辐射掺铒光纤的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，在石英反应管的内壁沉积疏松层；S20，将所述石英反应管浸泡在含有Er3+、Ga3+、La3+，Al3+的掺杂溶液中，并在干燥气氛下干燥，得到第一掺杂石英管，所述掺杂溶液中Ga3+的配制浓度为0.2~500gL；S30，在所述第一掺杂石英管的所述疏松层上沉积Ge2O3层，得到第二掺杂石英管；S40，将所述第二掺杂石英管烧缩成石英预制棒后插入石英套管中，并在拉丝塔中拉制成抗辐射掺铒光纤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉长进光子技术股份有限公司 一种抗辐射掺铒光纤及其制备方法与应用
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