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申请/专利权人：武汉脉冲芯电子科技有限公司
摘要：本申请属于爆炸箔起爆器技术领域，具体公开了一种基于RBDT的小型化爆炸箔起爆器。通过本申请，选用的DSRD、半导体控制开关、RBDT、第一二极管、第二二极管均为裸芯片，并将各模块设计为等长等宽堆叠式电连接，大幅度减小各模块的体积，实现整个爆炸箔起爆器的小型化，整个爆炸箔起爆器的体积不超过5cm3。
主权项：1.一种基于RBDT的小型化爆炸箔起爆器，其特征在于，包括：第一模块和第二模块；第一模块包括：原边储能电容、半导体控制开关、变压器、副边储能电容和DSRD；其中，DSRD和半导体控制开关均为裸芯片，原边储能电容和半导体控制开关等长等宽且依次堆叠式电连接；副边储能电容和DSRD等宽，且合并长度不超过原边储能电容；第二模块包括：第二二极管、主回路电容、RBDT、第一二极管和爆炸箔芯片；其中，RBDT、第一二极管、第二二极管均为裸芯片，第二二极管、主回路电容、RBDT和第一二极管等长等宽且依次堆叠式电连接；变压器的原边绕组的同名端电连接半导体控制开关的阴极，异名端电连接原边储能电容的负极；变压器的副边绕组同名端电连接DSRD的阳极，异名端电连接副边储能电容的负极；爆炸箔芯片的一端电连接第二二极管的阴极，另一端电连接RBDT的阳极；DSRD阳极、主回路电容的负极和RBDT阴极等电位；副边储能电容正极、DSRD阴极和第一二极管阳极等电位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉脉冲芯电子科技有限公司 一种基于RBDT的小型化爆炸箔起爆器
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