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基于双端口RAM的寄存器输出的FIFO电路、方法、芯片及设备 

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申请/专利权人:芯潮流(珠海)科技有限公司

摘要:本发明提供一种基于双端口RAM的寄存器输出的FIFO电路、方法、芯片及设备,其中,该电路包括:写控制模块、读控制模块、双端口RAM模块、时钟同步模块,双端口RAM模块分别连接写控制模块和读控制模块,时钟同步模块分别连接写控制模块和读控制模块,双端口RAM模块包括RAM单元,其中,还包括:门控时钟寄存器模块,门控时钟寄存器模块包括门控时钟单元和寄存器,门控时钟单元分别连接读控制模块和寄存器的时钟端,寄存器的数据输入端连接RAM单元,门控时钟单元用于从读控制模块获取RAM读使能信号和RAM读时钟信号,并基于RAM读使能信号和RAM读时钟信号输出门控信号至寄存器的时钟端。本发明可持续维持RAM读数据有效,提高FIFO电路逻辑布线效果。

主权项:1.一种基于双端口RAM的寄存器输出的FIFO电路,包括写控制模块、读控制模块、双端口RAM模块、时钟同步模块,所述双端口RAM模块分别连接所述写控制模块和所述读控制模块,所述时钟同步模块分别连接所述写控制模块和所述读控制模块,所述双端口RAM模块包括RAM单元,其特征在于,还包括:门控时钟寄存器模块,所述门控时钟寄存器模块包括门控时钟单元和寄存器,所述门控时钟单元分别连接所述读控制模块和所述寄存器的时钟端,所述寄存器的数据输入端连接所述RAM单元,所述门控时钟单元用于从所述读控制模块获取RAM读使能信号和RAM读时钟信号,并基于所述RAM读使能信号和所述RAM读时钟信号输出门控信号至所述寄存器的时钟端。

全文数据:

权利要求:

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