龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：徐州立羽高科技有限责任公司
摘要：本申请涉及一种常关型EmodeHEMT器件及制备方法，该常关型EmodeHEMT器件，包括:衬底；外延层，包括依次设置于所述衬底上的成核层、缓冲层和势垒层；栅极离子注入隔离区域，所述栅极离子注入隔离区域的形成包括通过离子注入方式向所述势垒层注入N离子，所述N离子的能量1keV；栅极金属电极，设置在所述待形成栅极的区域上，且与所述栅极离子注入隔离区域形成肖特基接触；源极欧姆接触电极；漏极欧姆接触电极。本申请中，通过在栅极金属电极的下方注入能量1keV的离子，可以对栅极区域的势垒层的晶格产生破环作用，从而实现将栅极下方的二维电子气2DEG的耗尽，进而实现常关型EmodeHEMT。
主权项：1.一种常关型EmodeHEMT器件，其特征在于，包括:衬底；外延层，包括依次设置于所述衬底上的成核层、缓冲层和势垒层；栅极离子注入隔离区域，设置于待形成栅极的区域中的所述势垒层中，所述栅极离子注入隔离区域的形成包括通过离子注入方式向所述势垒层注入N离子，所述N离子的能量1keV；栅极金属电极，设置在所述待形成栅极的区域上，且与所述栅极离子注入隔离区域形成肖特基接触；源极欧姆接触电极，设置于所述栅极金属电极的一侧，且与所述势垒层和所述缓冲层之间的二维电子气之间形成源极欧姆接触；漏极欧姆接触电极，设置于所述栅极金属电极的另一侧，且与所述势垒层和所述缓冲层之间的二维电子气之间形成漏极欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 徐州立羽高科技有限责任公司 一种常关型Emode HEMT器件及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号