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一种OLED显示面板及其制备方法 

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申请/专利权人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

摘要:本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法。所述OLED显示面板包括衬底基板、位于所述衬底基板上且对应非发光区的遮光金属层、位于所述衬底基板上且对应发光区的彩色滤光层、位于所述遮光金属层远离所述衬底基板的一侧的TFT结构层、位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧的第一透明电极层、以及位于所述TFT结构层和所述第一透明电极层之上的像素电极层。所述第一透明电极层与所述TFT结构层的有源层同层设置。其中,在所述发光区,所述像素电极层与所述第一透明电极层之间形成耦合电容。本发明在形成有源层的同时,在发光区内形成一层透明电极,与顶部的像素电极层构成耦合电容,可以节省一道电极工艺。

主权项:1.一种OLED显示面板,定义多个阵列排布的像素区域,每个所述像素区域中分成发光区以及非发光区,其特征在于,所述OLED显示面板包括:衬底基板;遮光金属层,位于所述衬底基板上且对应所述非发光区;彩色滤光层,位于所述衬底基板上且对应所述发光区,与所述遮光金属层间隔设置;TFT结构层,位于所述遮光金属层远离所述衬底基板的一侧;第一透明电极层,位于所述彩色滤光层远离所述衬底基板的一侧,且与所述TFT结构层的有源层同层设置;以及像素电极层,所述像素电极层一端与所述TFT结构层的漏极相连,所述发光区内的所述像素电极层与所述第一透明电极层之间形成耦合电容;有机发光层,位于所述像素电极层上,且与所述像素电极层连接;所述TFT结构层包括位于所述有源层之上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层之上的栅极、位于所述栅极和所述第一透明电极层之上的层间绝缘层、位于所述层间绝缘层之上的源极和漏极、位于所述源极和所述漏极之上的钝化层、以及位于所述钝化层之上的平坦化层;所述OLED显示面板还包括缓冲层,所述有源层通过所述缓冲层与所述遮光金属层隔开,所述第一透明电极层通过所述缓冲层与所述彩色滤光层隔开;其中,在所述发光区,所述像素电极层位于第一凹槽内侧,所述第一凹槽贯穿所述平坦化层、所述钝化层、以及部分所述层间绝缘层,与所述第一透明电极层对应的所述层间绝缘层与所述第一透明电极层贴合,与所述第一透明电极层对应的所述层间绝缘层的厚度小于所述非发光区内的所述层间绝缘层的厚度;对应所述第一凹槽内侧的所述像素电极层包括第二凹槽,所述有机发光层位于所述第二凹槽内,所述有机发光层至所述OLED显示面板的出光面的间距为所述像素电极层的厚度、与所述第一透明电极层对应的所述层间绝缘层的厚度、所述第一透明电极层的厚度、所述缓冲层的厚度、所述彩色滤光层的厚度及所述衬底基板的厚度之和。

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