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一种中子探测器及探测系统 

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申请/专利权人:中国原子能科学研究院

摘要:本申请实施例提供了一种中子探测器及探测系统,其中,中子探测器包括氮化硼半导体以及电极,氮化硼半导体具有相对设置的第一表面和第二表面,其中一个电极与第一表面接触,另一个电极与第二表面接触,由于氮化硼半导体对中子灵敏,电极配置为获取氮化硼半导体捕获中子时产生的电信号,由此,可以实现对中子进行探测的功能,该中子探测器的探测效率高。

主权项:1.一种中子探测器,其特征在于,包括:电绝缘基座30;氮化硼半导体10,设置于所述电绝缘基座30,所述氮化硼半导体10具有相对设置的第一表面和第二表面10a,所述氮化硼半导体10为通过低压化学气相沉积成型的氮化硼晶体;电极20,所述电极20为两个,其中一个所述电极20与所述第一表面接触,另一个所述电极20与所述第二表面10a接触;所述第一表面和所述第二表面10a平行设置,且所述第一表面和所述第二表面10a分别为所述氮化硼半导体10上相对间距最小的两个表面;导电金属层40,所述导电金属层40通过化学沉积形成在所述电绝缘基座30上,所述导电金属层40的外形尺寸大于所述氮化硼半导体10的外形尺寸,所述第一表面通过导电胶粘接在所述导电金属层40上;导线50,至少与所述导电金属层40连接,形成与所述第一表面接触的所述电极20的信号的引出端。

全文数据:

权利要求:

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