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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种铁电增强的砷化镓基异质结光电探测器及其制备方法，包括衬底层、下电极层、半导体层、铁电功能层和上电极层，下电极层位于衬底层一侧，半导体层、上电极层由下至上依次设置于衬底层远离下电极层的一侧，铁电功能层位于上电极层远离半导体层的一侧或衬底层与半导体层之间，通过施加外部电压控制铁电功能层的极化方向，当铁电功能层极化产生的铁电电场与内建电场的方向一致时，光电探测器的光电流呈开态；反之，光电探测器的光电流呈关态。本发明的光电探测器能通过控制铁电功能层的极化状态，可实现器件的开态关态切换，在不同的极化状态下调节器件的光电性能，实现光电探测器的灵活控制和优化。
主权项：1.一种铁电增强的砷化镓基异质结光电探测器，其特征在于：包括衬底层、下电极层、半导体层、铁电功能层和上电极层，所述下电极层位于衬底层一侧，所述半导体层、上电极层由下至上依次设置于衬底层远离下电极层的一侧，所述铁电功能层位于上电极层远离半导体层的一侧或衬底层与半导体层之间，通过施加外部电压控制铁电功能层的极化方向，当铁电功能层极化产生的铁电电场与内建电场的方向一致时，光电探测器呈开态；当铁电功能层极化产生的铁电电场与内建电场的方向相反时，光电探测器呈关态；所述衬底层的材料为砷化镓；所述铁电功能层的材料包括PVDF-TrFE或VDW铁电材料；所述下电极层的厚度为90~110nm，铁电功能层的厚度为2~5nm，半导体层的厚度为6~30nm，上电极层的厚度为90~110nm。
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百度查询： 华中科技大学 一种铁电增强的砷化镓基异质结光电探测器及其制备方法
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