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申请/专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院;济南大学
摘要：本申请涉及半导体制冷技术领域，特别涉及一种异质半导体材料集成多级制冷器件，包括：第一级制冷组件以及依次叠加在第一级制冷组件上方的第N级制冷组件；其中，N≥2；第一级制冷组件的底部、第一级制冷组件和第N级制冷组件之间以及位于顶层的制冷组件的顶部均设有陶瓷基板；每层制冷组件均包括多组由n型半导体和p型半导体组成的电偶对，电偶对的材料为热电材料，热电材料包括p‑Bi2～xSbxTe3n‑Bi2Te3‑xSex、p‑Bi2～xSbxTe3n‑BiSb、p‑CsBi4Te6n‑Bi2Te3‑xSex或p‑CsBi4Te6n‑BiSb中的两种或多种；多级制冷器件中至少有两层制冷组件的电偶对的材料不同。本申请根据多级器件每层所处温度不同，最大化地利用梯度材料性能，突破传统p‑Bi2～xSbxTe3n‑Bi2Te3‑xSex单一材料制备的多级制冷器件极限，将半导体制冷能力最大化。
主权项：1.一种异质半导体材料集成多级制冷器件，其特征在于，包括：第一级制冷组件以及依次叠加在所述第一级制冷组件上方的第N级制冷组件；其中，N≥2；所述第一级制冷组件的底部、所述第一级制冷组件和所述第N级制冷组件之间以及位于顶层的制冷组件的顶部均设有陶瓷基板，且下层陶瓷基板的尺寸大于上层陶瓷基板的尺寸；每层制冷组件均包括多组由n型半导体和p型半导体组成的电偶对，多组电偶对之间串联连接；下层制冷组件的电偶对的个数大于上层制冷组件的电偶对的个数；所述电偶对的材料为热电材料，所述热电材料包括p-Bi2～xSbxTe3-Bi2Te3-xSex、p-Bi2～xSbxTe3-BiSb、p-CsBi4Te6-Bi2Te3-xSex或p-CsBi4Te6-BiSb中的两种或多种；所述多级制冷器件中至少有两层制冷组件的电偶对的材料不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院深圳先进技术研究院 济南大学 一种异质半导体材料集成多级制冷器件
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