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申请/专利权人：默克专利股份有限公司

摘要：本发明涉及液晶介质，其包含一种或多种式D的化合物和一种或多种选自式I，II和III化合物的化合物，其中出现的基团和参数具有权利要求1中定义的含义，和包含这些介质的高频组件，尤其是用于高频器件的微波组件，诸如用于改变微波相位的器件，可调谐滤波器，可调谐超材料结构和电子束调向天线例如相控阵天线。

主权项：1.液晶介质，特征在于其包含a一种或多种式D的化合物, 其中 表示 R1A表示H，具有至多15个C原子的烷基，烯基或烷氧基，其中一个或多个CH2-基团可被替代，和其中一个或多个H原子可以被卤素替代,R2A表示H，具有至多7个C原子的烷基或烯基或烷氧基，其中一个或多个H原子可以被卤素替代,r是0或1；和b一种或多种选自式I，II和III化合物的化合物， 其中R1表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,n是0，1或2, 至在每次出现时彼此独立地表示 其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，和其中 替代性地表示 R2表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,Z21表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-，和 彼此独立地表示 其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基；R3表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,Z31和Z32之一表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-和另一个独立于其地表示-C≡C-，反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或单键，和 至彼此独立地表示 其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，和其中 替代性地表示

全文数据：液晶介质技术领域本发明涉及液晶介质和包含这些介质的高频组件，尤其是用于高频器件的微波组件，诸如用于改变微波相位的器件，可调谐滤波器，可调谐超材料结构和电子束调向天线electronicbeamsteeringantennas例如，相控阵天线。背景技术液晶介质已用于电光显示器液晶显示器-LCD中许多年以显示信息。然而，最近，还已提出液晶介质用于微波技术所用的组件中，诸如在DE102004029429.1A和JP2005-120208A中。A.Gaebler，F.Goelden，S.Müller，A.Penirschke和R.Jakoby“DirectSimulationofMaterialPermittivitesusinganEigen-SusceptibilityFormulationoftheVectorVariationalApproach”，12MTC2009–InternationalInstrumentationandMeasurementTechnologyConference，Singapore，2009IEEE,第463-467页描述了已知液晶混合物E7MerckKGaA，Germany的相应性质。DE102004029429A描述了液晶介质在微波技术，尤其在移相器中的用途。其中，已经讨论了液晶介质在相应频率范围内的性质，并且已经显示了基于主要是芳族腈和异硫氰酸酯的混合物的液晶介质。在EP2982730A1中，描述了完全由异硫氰酸酯化合物组成的混合物。然而，这些组合物仍然存在几个缺点。需要改进这些介质的一般物理性质，特别是必须改进在器件中在操作下的稳定性和保存期限shelflife。令人惊奇的是，已经发现通过使用下面的式D化合物可以获得具有优异稳定性并且同时具有高介电各向异性，适当快速切换时间，合适的向列相范围，高可调谐性和低介电损耗的液晶介质。发明内容本发明涉及液晶介质，其包含a一种或多种式D的化合物,其中表示R1A表示H，具有至多15个C原子的烷基，烯基或烷氧基，其中一个或多个CH2-基团可被替代，和其中一个或多个H原子可以被卤素替代,R2A表示H，具有至多7个C原子的烷基或烯基或烷氧基，其中一个或多个H原子可以被卤素替代,r是0或1；和b一种或多种选自式I，II和III化合物的化合物，其中R1表示H，具有1至17，优选3至10个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15，优选3至10个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,优选未氟化烷基或未氟化烯基,n是0，1或2,至在每次出现时彼此独立地表示其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，优选H，甲基或乙基，特别优选H和其中替代性地表示优选和在n＝2的情况下，中的一个优选表示且另一个优选表示优选至彼此独立地表示更优选表示表示表示R2表示H，具有1至17，优选3至10个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15，优选3至10个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,优选未氟化烷基或未氟化烯基,Z21表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-，优选-C≡C-或反式-CH＝CH-，和彼此独立地表示其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，优选H，甲基或乙基，特别优选H和其中优选彼此独立地表示优选表示和优选表示更优选R3表示H，具有1至17，优选3至10个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15，优选3至10个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,优选未氟化烷基或未氟化烯基,Z31和Z32之一，优选Z32；表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-和另一个独立于其地表示-C≡C-，反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或单键，优选它们中之一，优选Z32；表示-C≡C-或反式-CH＝CH-和另一个表示单键，和至彼此独立地表示其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，优选H，甲基或乙基，特别优选H和其中替代性地独立地表示优选至彼此独立地表示更优选表示表示更优选表示更优选根据本发明的介质对于热和或光，尤其是UV光，是令人惊讶地稳定的。特别地，热稳定性非常高。此外，根据本发明的介质的特征在于高清亮温度和宽的向列相范围。结果，包含介质的器件可在极端温度条件下操作。介质的特征进一步在于高介电各向异性值和低旋转粘度。结果，阈值电压，即器件可切换的最小电压，是非常低的。需要低工作电压和低阈值电压，以便使器件具有改进的切换特性和高能量效率。低旋转粘度使得能够快速切换根据本发明的器件。这些特性整体使得该介质特别适用于用于微波范围内的高频技术和应用的组件和器件，特别是用于改变微波相位的器件，可调谐滤波器，可调谐超材料结构和电子束调向天线例如，相控阵天线。本发明的另一个目的是在电磁波谱的微波区域中可操作的组件和包括所述组件的器件。优选的组件是移相器，变容二极管，无线和无线电波天线阵列，匹配电路，自适应滤波器等。卤素是F，Cl，Br或I，优选F或Cl，特别优选F。优选的式D化合物是选自式D-1和D-2化合物的化合物，特别优选式D-1的化合物:其中R1A具有上文给出的含义和优选表示具有1至7个C原子的烷基，特别优选乙基，正丙基，正丁基或正戊基。根据本发明的介质优选包含一种或多种式D-1的化合物，优选选自式D-1a至D-1e的化合物在优选的实施方案中，除式D化合物外，本发明的介质还包含一种或多种选自下式化合物的稳定剂：其中RST表示H，具有1至15个C原子的烷基或烷氧基，其中此外，这些基团中的一个或多个CH2基团可以各自彼此独立地被-C≡C-，-CF2O-，-OCF2-，-CH＝CH-，-O-，-CO-O-，-O-CO-以使得O原子不直接彼此连接的方式替代，和其中此外，一个或多个H原子可以被卤素取代,表示ZST各自彼此独立地表示-CO-O-，-O-CO-，-CF2O-，-OCF2-，-CH2O-，-OCH2-，-CH2-，-CH2CH2-，-CH24-，-CH＝CH-CH2O-，-C2F4-，-CH2CF2-，-CF2CH2-，-CF＝CF-，-CH＝CF-，-CF＝CH-，-CH＝CH-，-C≡C-或单键，L1和L2各自彼此独立地表示F，Cl，CF3或CHF2，p表示1或2，q表示1，2，3，4，5，6，7，8，9或10。在式ST化合物中，特别优选下式的化合物其中n＝1，2，3，4，5，6或7，优选n＝1或7其中n＝1，2，3，4，5，6或7，优选n＝3在式ST-3a的化合物中，n优选表示3。在式ST-2a的化合物中，n优选表示7。非常特别优选的本发明混合物包含一种或多种选自式ST-2a-1，ST-3a-1，ST-8-1，ST-9-1和ST-12化合物的稳定剂：基于混合物，式ST-1至ST-18的化合物优选各自以0.005-0.5％的量存在于本发明的液晶混合物中。在本发明的优选实施方案中，式I化合物选自式I-1至I-5的化合物：其中L1，L2和L3在每次出现时，相同或不同地表示H或F，且其它基团具有上述对于式I所示的相应含义和优选R1表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。该介质优选包含一种或多种式I-1化合物，其优选选自式I-1a至I-1d化合物，优选式I-1b化合物:其中R1具有上述对于式I所示的含义和优选表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。该介质优选包含一种或多种式I-2化合物，其优选选自式I-2a至I-2e化合物，优选式I-2c化合物:其中R1具有上述对于式I所示的含义和优选表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。该介质优选包含一种或多种式I-3化合物，其优选选自式I-3a至I-3d化合物，特别优选式I-3b化合物:其中R1具有上述对于式I所示的含义和优选表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。该介质优选包含一种或多种式I-4化合物，其优选选自式I-4a至I-4e化合物，特别优选式I-4b化合物:其中R1具有上述对于式I所示的含义和优选表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。该介质优选包含一种或多种式I-5化合物，其优选选自式I-5a至I-5d化合物，特别优选式I-5b化合物:其中R1具有上述对于式I所示的含义和优选表示具有1至7个C原子的未氟化烷基或具有2至7个C原子的未氟化烯基。该介质优选包含一种或多种式II化合物，其优选选自式II-1至II-3的化合物，优选选自式II-1和II-2的化合物:其中出现的基团具有上述在式II下给出的含义和优选R2表示H，具有1至7个C原子的未氟化烷基或烷氧基或具有2至7个C原子的未氟化烯基,和中之一表示和另一者，独立地表示优选最优选和优选R2表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和n表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式II-1化合物优选选自式II-1a至II-1e化合物:其中R2具有上述含义和优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和n彼此独立地表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式II-2化合物优选选自式II-2a和II-2b化合物:其中R2具有上述含义和优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，n表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式II-3化合物优选选自式II-3a至II-3d的化合物:其中R2具有上述含义和优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，n表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式III化合物优选选自式III-1至III-6化合物，更优选选自式III-1，III-2，III-3和III-4化合物，特别优选式III-1化合物:其中Z31和Z32彼此独立地表示反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-，优选反式-CH＝CH-，和在III-6中替代性地Z31和Z32之一可表示-C≡C-和其他基团具有上述在式III下给出的含义，和优选R3表示H，具有1至7个C原子的未氟化烷基或烷氧基或具有2至7个C原子的未氟化烯基,至之一，优选表示优选和其他的彼此独立地表示优选更优选和优选R3表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，n表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式III-1化合物优选选自式III-1a至III-1f化合物，更优选选自式III-1a和III-1b化合物，特别优选式III-1b化合物:其中R3具有上述含义和优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，n表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式III-2化合物优选为式III-2a至III-2h化合物:其中R3具有上述含义和优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，n表示范围在0至15的整数，优选范围在1至7和特别优选1至5，和z表示0，1，2，3或4，优选0或2。式III-5化合物优选选自式III-5a化合物：R3具有上述对于式III-5所示的含义和优选表示CnH2n+1，其中n表示0-7范围的整数，优选1-5范围的整数。在优选的实施方案中，根据本发明的介质包含一种或多种选自式II-1A-1至II-1A-12的化合物的化合物，非常优选II-1A-1或II-1A-2：其中R1表示具有至多7个C原子的烷基或烯基，优选乙基、正丙基、正丁基或正戊基、正己基，RL在每次出现时相同或不同地表示具有1-5个C原子的烷基或烯基，或各自具有3-6个C原子的环烷基或环烯基，优选甲基、乙基、正丙基、正丁基、异丙基、环丙基、环丁基、环戊基或环戊-1-烯基，非常优选乙基。额外地，在某些实施方案中，根据本发明的液晶介质，其可以与先前优选的实施方案相同或不同，优选包含一种或多种式IV的化合物，其中表示s是0或1，优选1,优选特别优选L4表示H或具有1-6个C原子的烷基，具有3-6个C原子的环烷基或具有4-6个C原子的环烯基，优选CH3、C2H5、n-C3H7、i-C3H7、环丙基、环丁基、环己基、环戊-1-烯基或环己-1-烯基，和特别优选CH3、C2H5、环丙基或环丁基，X4表示H，具有1-3个C原子的烷基或卤素，优选H、F或Cl，更优选H或F和特别优选F，R41至R44,彼此独立地表示各自具有1-15个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，各自具有2-15个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，或各自具有至多15个C原子的环烷基、烷基环烷基、环烯基、烷基环烯基、烷基环烷基烷基或烷基环烯基烷基，和替代性地R43和R44之一或二者还表示H，优选R41和R42,彼此独立地表示各自具有1-7个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，或各自具有2-7个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，特别优选地R41表示具有1-7个C原子的未氟化的烷基，各自具有2-7个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，和特别优选地R42表示各自具有1-7个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，和优选R43和R44表示H、具有1-5个C原子的未氟化的烷基，具有3-7个C原子的未氟化的环烷基或环烯基，各自具有4-12个C原子的未氟化的烷基环己基或未氟化的环己基烷基，或具有5-15个C原子的未氟化的烷基环己基烷基，特别优选环丙基、环丁基或环己基，和非常特别优选R43和R44的至少一个表示正烷基，特别优选甲基、乙基或正丙基，和另一个表示H或正烷基，特别优选H、甲基、乙基或正丙基。在本申请的优选的实施方案中，该液晶介质额外地包含一种或多种选自式V、VI、VII、VIII和IX的化合物的化合物：其中L51表示R51或X51，L52表示R52或X52，R51和R52,彼此独立地表示H、具有1-17，优选3-10个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，或具有2-15，优选3-10个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，优选烷基或未氟化的烯基，X51和X52,彼此独立地表示H、F、Cl、-CN、SF5、具有1-7个C原子的氟化的烷基或氟化的烷氧基或具有2-7个C原子的氟化的烯基、氟化的烯基氧基或氟化的烷氧基烷基，优选氟化的烷氧基、氟化的烯基氧基、F或Cl，和至彼此独立地表示优选L61表示R61和在Z61和或Z62表示反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-的情况下，还替代性地表示X61，L62表示R62和在Z61和或Z62表示反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-的情况下，还替代性地表示X62，R61和R62,彼此独立地表示H、具有1-17，优选3-10个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，或具有2-15，优选3-10个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，优选烷基或未氟化的烯基，X61和X62,彼此独立地表示F或Cl、-CN、SF5、具有1-7个C原子的氟化的烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的氟化的烯基、烯基氧基或烷氧基烷基，Z61和Z62之一表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或-C≡C-和另一个独立于其地表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或单键，优选它们之一表示-C≡C-或反式-CH＝CH-和另一个表示单键，和至彼此独立地表示优选和x表示0或1；L71表示R71或X71，L72表示R72或X72，R71和R72，彼此独立地表示H、具有1-17，优选3-10个C原子的未氟化的烷基或未氟化的烷氧基，或具有2-15，优选3-10个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，优选烷基或未氟化的烯基，X71和X72,彼此独立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1-7个C原子的氟化的烷基或氟化的烷氧基或具有2-7个C原子的氟化的烯基、未氟化的或氟化的烯基氧基或未氟化的或氟化的烷氧基烷基，优选氟化的烷氧基、氟化的烯基氧基、F或Cl，和Z71至Z73,彼此独立地表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-或单键，优选它们的一个或多个表示单键，特别优选全部表示单键和至彼此独立地表示优选R81和R82,彼此独立地表示H、具有1-15，优选3-10个C原子的未氟化的烷基或烷氧基，或具有2-15，优选3-10个C原子的未氟化的烯基、烯基氧基或烷氧基烷基，优选未氟化的烷基或烯基，Z81和Z82之一表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或-C≡C-和另一个独立于其地表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或单键，优选它们之一表示-C≡C-或反式-CH＝CH-和另一个表示单键，和表示彼此独立地表示L91表示R91或X91，L92表示R92或X92，R91和R92,彼此独立地表示H、具有1-15，优选3-10个C原子的未氟化的烷基或烷氧基，或具有2-15，优选3-10个C原子的未氟化的烯基、烯基氧基或烷氧基烷基，优选未氟化的烷基或烯基，X91和X92,彼此独立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5、具有1-7个C原子的氟化的烷基或氟化的烷氧基或具有2-7个C原子的氟化的烯基、未氟化的或氟化的烯基氧基或未氟化的或氟化的烷氧基烷基，优选氟化的烷氧基、氟化的烯基氧基、F或Cl，和Z91至Z93,彼此独立地表示反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-C≡C-或单键，优选它们的一个或多个表示单键，和特别优选全部表示单键，表示至彼此独立地表示在本发明的优选的实施方案中，该液晶介质包含一种或多种式V的化合物，优选选自式V-1至V-3的化合物，优选式V-1和或V-2和或V-3的化合物，优选式V-1和V-2的化合物：其中所述参数具有以上对于式V所指出的相应含义并且优选R51表示具有1-7个C原子的未氟化的烷基或具有2-7个C原子的未氟化的烯基，R52表示具有1-7个C原子的未氟化的烷基或具有2-7个C原子的未氟化的烯基或具有1-7个C原子的未氟化的烷氧基，X51和X52,彼此独立地表示F、Cl、-OCF3、-CF3、-CN或-SF5，优选F、Cl、-OCF3或-CN。式V-1的化合物优选选自式V-1a至V-1d的化合物，优选V-1c和V-1d：其中所述参数具有以上对于式V-1所指出的相应含义并且其中Y51和Y52,在各种情况下彼此独立地表示H或F，并且优选R51表示烷基或烯基，和X51表示F、Cl或-OCF3。式V-2的化合物优选选自式V-2a至V-2e的化合物和或选自式V-2f和V-2g的化合物：其中在每种情况下，式V-2a的化合物不包括在式V-2b和V-2c的化合物中，式V-2b的化合物不包括在式V-2c的化合物中和式V-2e的化合物不包括在式V-2f的化合物中，和其中所述参数具有以上对于式V-1所指出的相应含义并且其中Y51和Y52,在每种情况下彼此独立地表示H或F，并且优选Y51和Y52表示H和另一个表示H或F，优选同样表示H。式V-3的化合物优选为式V-3a的化合物：其中所述参数具有以上对于式V-1所指出的相应含义并且其中优选X51表示F、Cl，优选F，X52表示F、Cl或-OCF3，优选-OCF3。式V-1a的化合物优选选自式V-1a-1和V-1a-2的化合物，更优选这些式V的化合物主要由其组成，甚至更优选基本上由其组成，并且非常特别优选完全由其组成：其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-7范围的整数，优选1-5范围的整数和特别优选3或7。式V-1b的化合物优选式V-1b-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5。式V-1c的化合物优选选自式V-1c-1至V-1c-4的化合物，特别优选选自式V-1c-1和V-1c-2的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5。式V-1d的化合物优选选自式V-1d-1和V-1d-2的化合物，特别优选式V-1d-2的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5。式V-2a的化合物优选选自式V-2a-1和V-2a-2的化合物，特别优选式V-2a-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。优选的R51和R52的组合，特别是在式V-2a-1的情况下，为CnH2n+1和CmH2m+1、CnH2n+1和O-CmH2m+1、CH2＝CH-CH2Z和CmH2m+1、CH2＝CH-CH2Z和O-CmH2m+1和CnH2n+1和CH2Z-CH＝CH2。优选的式V-2b的化合物为式V-2b-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R51和R52的优选的组合特别为CnH2n+1和CmH2m+1。优选的式V-2c化合物为式V-2c-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R51和R52的优选的组合特别为CnH2n+1和CmH2m+1。优选的式V-2d化合物为式V-2d-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m，彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R51和R52的优选的组合特别为CnH2n+1和CmH2m+1。优选的式V-2e的化合物为式V-2e-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R51和R52的优选的组合特别为CnH2n+1和O-CmH2m+1。优选的式V-2f的化合物为式V-2f-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R51和R52优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。优选的式V-2g的化合物为式V-2g-1的化合物:其中R51具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R52具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R51和R52优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和O-CmH2m+1。式VI的化合物优选选自式VI-1至VI-5的化合物:其中Z61和Z62表示-C≡C-、反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-，优选-C≡C-或反式-CH＝CH-，和其它出现的基团和参数具有以上在式VI下给出的含义，并且优选R61和R62,彼此独立地表示H、具有1-7个C原子的未氟化的烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的未氟化的烯基，X62表示F、Cl、-OCF3或-CN，式VI-1的化合物优选选自式VI-1a和VI-1b的化合物，更优选选自式VI-1a的化合物:其中R61具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R62具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R61和R62的优选的组合特别为CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，在式VI-1a的情况下特别优选CnH2n+1和CmH2m+1和在式VI-1b的情况下特别优选CnH2n+1和O-CmH2m+1。式VI-3的化合物优选选自式VI-3a至VI-3c的化合物:其中该参数具有以上在式VI-3下给出的含义并且优选R61具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-7范围的整数，优选1-5范围的整数，和X62表示-F、-Cl、-OCF3或-CN。式VI-4的化合物优选选自式VI-4a至VI-4e的化合物：其中该参数具有以上在式VI-4下给出的含义并且优选R61具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-7范围的整数，优选1-5范围的整数，和X62表示F、Cl、OCF3或-CN。式VI-5的化合物优选选自式VI-5b的化合物:其中该参数具有以上在式VI-5下给出的含义并且优选R61具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示0-7范围的整数，优选1-5范围的整数，和X62表示-F、-Cl、-OCF3或-CN，特别优选-OCF3。式VII的化合物优选选自式VII-1至VII-6的化合物:其中式VII-5的化合物不包括在式VII-6的化合物中，和其中该参数具有以上对于式VII指出的相应含义，Y71、Y72、Y73彼此独立地表示H或F，和优选R71表示各自具有1-7个C原子的未氟化的烷基或烷氧基，或具有2-7个C原子的未氟化的烯基，R72表示各自具有1-7个C原子的未氟化的烷基或烷氧基，或具有2-7个C原子的未氟化的烯基，X72表示F、Cl、NCS或-OCF3，优选F或NCS，和特别优选R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R72具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。式VII-1的化合物优选选自式VII-1a至VII-1d的化合物:其中X72具有以上对于式VII-2给出的含义和R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，其中n表示1-7，优选2-6，特别优选2、3或5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2，和X72优选表示F。式VII-2的化合物优选选自式VII-2a和VII-2b的化合物，特别优选式VII-2a的化合物:其中R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R72具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R71和R72优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VII-3的化合物优选为式VII-3a的化合物:其中R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R72具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R71和R72优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VII-4的化合物优选为式VII-4a的化合物:其中R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R72具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R71和R72优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VII-5的化合物优选选自式VII-5a和VII-5b的化合物，更优选式VII-5a的化合物:其中R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R72具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R71和R72优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VII-6的化合物优选选自式VII-6a和VII-6b的化合物:其中R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R72具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R71和R72优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VII-7的化合物优选选自式VII-7a和VII-7b的化合物：其中R71具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，X72表示F、-OCF3或-NCS，n彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。式VIII的化合物优选选自式VIII-1至VIII-3的化合物，更优选这些式VIII的化合物主要由其组成，甚至更优选基本由其组成和非常特别优选完全由其组成:其中Y81和Y82之一表示H和另一个表示H或F，和R81具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R82具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R81和R82优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1式VIII-1的化合物优选选自式VIII-1a至VIII-1c的化合物:其中R81具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R82具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R81和R82优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VIII-2的化合物优选为式VIII-2a的化合物:其中R81具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R82具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R81和R82优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1、CnH2n+1和O-CmH2m+1和CH2＝CH-CH2Z和CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和CmH2m+1。式VIII-3的化合物优选为式VIII-3a的化合物:其中R81具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R82具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R81和R82优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1。式IX的化合物优选选自式IX-1至IX-3的化合物:其中该参数具有以上式IX下指出的相应含义并且优选至之一表示和其中R91具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R92具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R91和R92优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1。式IX-1的化合物优选选自式IX-1a至IX-1e的化合物:其中所述参数具有以上给出的含义并且优选R91具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1，和n表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和X92优选表示F或Cl。式IX-2的化合物优选选自式IX-2a和IX-2b的化合物:其中R91具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R92具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R91和R92优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1。式IX-3的化合物优选为式IX-3a和IX-3b的化合物:其中R91具有以上指出的含义并且优选表示CnH2n+1或CH2＝CH-CH2Z，和R92具有以上指出的含义并且优选表示CmH2m+1或O-CmH2m+1或CH2Z-CH＝CH2，和其中n和m,彼此独立地表示0-15范围的整数，优选1-7范围的整数和特别优选1-5，和z表示0、1、2、3或4，优选0或2。此处R91和R92优选的组合特别是CnH2n+1和CmH2m+1和CnH2n+1和O-CmH2m+1，特别优选CnH2n+1和O-CmH2m+1。在本发明的优选的实施方案中，该介质包含一种或多种式X的化合物其中R101表示H、具有1-15，优选3-10个C原子的烷基或烷氧基或具有2-15，优选3-10个C原子的未氟化的烯基、未氟化的烯基氧基或未氟化的烷氧基烷基，优选烷基或烯基，X101表示H、F、Cl、-CN、SF5、NCS、具有1-7个C原子的氟化的烷基或氟化的烷氧基或具有2-7个C原子的氟化的烯基、氟化的烯基氧基或氟化的烷氧基烷基，优选氟化的烷氧基、氟化的烯基氧基、F、Cl或NCS，特别优选NCS，Y101表示甲基、乙基或Cl，Y102表示H、甲基、乙基、F或Cl，优选H或F，Z101,Z102相同或不同地表示单键、-CH＝CH-、-CF＝CF-或-C≡C-,和,彼此独立地表示优选和其中替代性地表示和n是0或1。优选地，式X的化合物选自子式X-1和X-2其中出现的基团和参数具有以上对于式X给出的含义。特别优选地，根据本发明的介质包含一种或多种选自式X-1-1至X-1-9的化合物的化合物根据本发明的介质包含一种或多种手性掺杂剂。优选这些手性掺杂剂的螺旋扭曲力HTP的绝对值在1μm-1至150μm-1的范围内，优选在10μm-1至100μm-1的范围内。在介质包含两种或更多种手性掺杂剂的情况下，这些可能具有它们的HTP值的相反的符号。对于一些具体实施方案，这种条件是优选的，因为它允许在一定程度上补偿各种化合物的手性，因此，可以用于补偿器件中所得介质的各种温度依赖性能。然而，通常，优选的是，根据本发明的介质中存在的大多数手性化合物，优选全部手性化合物具有它们的HTP值的相同的符号。优选地，根据本申请的介质中存在的手性掺杂剂是介晶化合物并且最优选它们本身展现出介晶相。在本发明的优选实施方案中，介质包含两种或更多种都具有相同HTP的代数符号的手性化合物。各个化合物的HTP的温度依赖性可以是高的或低的。可通过以相应比率混合具有HTP的不同温度依赖性的化合物补偿介质的节距的温度依赖性。对于光学活性组件而言，本领域技术人员可获得多种手性掺杂剂，其中的一些是市售的，例如，壬酸胆甾醇基酯、R-和S-811、R-和S-1011、R-和S-2011、R-和S-3011、R-和S-4011或CB15所有均来自MerckKGaA,Darmstadt。特别适合的掺杂剂是含有一个或多个手性基团和一个或多个介晶基团、或一个或多个与手性基团形成介晶基团的芳香族或脂环族基团的化合物。适合的手性基团是例如手性支链烃基团、手性乙二醇、联萘酚或二氧戊环，此外是选自以下的单-或多价手性基团：糖衍生物、糖醇、糖酸、乳酸、手性经取代的二醇、类固醇衍生物、萜类衍生物、氨基酸或几个优选1至5个氨基酸的序列。优选的手性基团是糖衍生物，例如葡萄糖、甘露糖、半乳糖、果糖、阿拉伯糖和右旋糖；糖醇，例如，山梨醇、甘露醇、艾杜糖醇、半乳糖醇或其脱水衍生物，特别是二脱水己糖醇，例如二脱水山梨糖醇1,4:3,6-二脱水-D-山梨糖醇、异山梨醇、二脱水甘露醇异山梨醇或二脱水艾杜糖醇异艾杜糖醇；糖酸，例如，葡萄糖酸、古洛糖酸和酮古洛糖酸；手性取代的二醇基团，例如，单-或低聚乙二醇或丙二醇，其中一个或多个CH2基团被烷基或烷氧基取代；氨基酸，例如，丙氨酸、缬氨酸、苯基甘氨酸或苯丙氨酸或这些氨基酸中的1至5个的序列；类固醇衍生物，例如，胆甾醇基或胆酸基团；萜衍生物，例如，薄荷基、新薄荷基、莰烯基campheyl、蒎烯基pineyl、萜品烯基terpineyl、异长叶基isolongifolyl、葑基、甲叉二氯基carreyl、桃金娘烯基myrthenyl、诺卜基nopyl、香叶基geraniyl、芳樟醇基linaloyl、橙花基neryl、香茅基citronellyl或二氢香茅基。根据发明的介质优选包含手性掺杂剂，其选自已知手性掺杂剂的组。合适的手性基团和介晶手性化合物描述于例如DE3425503,DE3534777,DE3534778,DE3534779和DE3534780,DE4342280,EP01038941和DE19541820中。实例还为以下表F中列出的化合物。根据本发明优选使用的手性化合物选自以下所示的式。特别优选选自以下式A-I至A-III和A-Ch的化合物的手性掺杂剂：其中Ra11、Ra12和Rb12彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基，其中，另外，一个或多个不相邻的CH2基团可以各自彼此独立地被-CRz＝CRz-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O和或S原子不直接彼此相连的方式替代，和其中，另外，一个或多个H原子可以各自被F、Cl、Br、I或CN替代，优选烷基，更优选正烷基，条件是Ra12与Rb12不同Ra21和Ra22彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基，其中，另外，一个或多个不相邻的CH2基团可以各自彼此独立地被-CRz＝CRz-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O和或S原子不直接彼此相连的方式替代，和其中，另外，一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I或CN替代，优选二者为烷基，更优选为正烷基，Ra31、Ra31和Rb32彼此独立地表示具有1-15个C原子直链和支链的烷基，其中，另外，一个或多个不相邻的CH2基团可以各自彼此独立地被-CRz＝CRz-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O和或S原子不直接彼此相连的方式替代，和其中，另外，一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I或CN替代，优选烷基，更优选为正烷基，条件是Ra32与Rb32不同，Rz表示H、CH3、F、Cl或CN，优选H或F，R8具有以上给出的Ra11的含义之一，优选烷基，更优选具有1-15个C原子的正烷基，Z8表示-COO-、CH2O、CF2O或单键，优选-COO-,A11如以下A12所定义，或替代性地表示A12表示优选其中L和L11，在每次出现时彼此独立地表示卤素、CN、或具有至多12个C原子的烷基、烯基、烷氧基或烯基氧基和其中一个或多个H原子任选地被卤素替代，优选甲基、乙基、Cl或F，特别优选F。A21表示A22具有针对A12给出的含义A31具有针对A11给出的含义，或替代性地表示A32具有针对A12给出的含义。n2在每次出现时相同或不同地为0、1或2，和n3为1、2或3。特别优选选自下式化合物的掺杂剂:其中m在每次出现时相同或不同地为1-9的整数，和n在每次出现时相同或不同地为2-9的整数。特别优选的式A的化合物为式A-III的化合物。进一步优选的掺杂剂为下式A-IV的异山梨醇、异甘露醇或异艾杜醇的衍生物：其中基团为二脱水山梨醇,二脱水甘露醇，或二脱水艾杜糖醇,优选是二脱水山梨醇，和手性乙二醇，例如，二苯基乙二醇氢化苯偶姻、特别是下式A-V的介晶氢化苯偶姻衍生物：包括未显示的S,S对映异构体，其中和各自彼此独立地是1,4-亚苯基其也可由L单-、二-或三取代或1,4-亚环己基,L是H、F、Cl、CN或具有1至7个碳原子、任选被卤化的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰氧基，c是0或1，X是CH2或-CO-,Z0是-COO-，-OCO-，-CH2CH2-或单键，和R0是具有1-12个碳原子的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基。式IV的化合物的实例为:式A-IV的化合物描述于WO9800428中。式A-V化合物描述于GB-A-2,328,207中。非常特别优选的掺杂剂是如WO0294805中所述的手性联萘基衍生物、如WO0234739中所述的手性联萘酚缩醛衍生物、如WO0206265中所述的手性TADDOL衍生物和如WO0206196和WO0206195中所述具有至少一个氟化桥接基团和末端或中心手性基团的手性掺杂剂。特别优选的是式A-VI的手性化合物其中X1、X2、Y1和Y2每个彼此独立地为F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5、具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其是未取代的或被F、Cl、Br、I或CN单取代或多取代和其中，此外，一个或多个不相邻的CH2基团可以各自彼此独立地被-O-、-S-、-NH-、NR0-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH＝CH-或-C≡C-以使得O和或S原子不直接彼此键合的方式替代，具有至多20个C原子的可聚合基团或环烷基或芳基，它们可任选地被卤素，优选F，或被可聚合基团单取代或多取代x1和x2各自彼此独立地为0、1或2，y1和y2各自彼此独立地为0、1、2、3或4，B1和B2各自彼此独立地为芳族的或部分或完全饱和的脂族六元环，其中一个或多个CH基团可以各自被N原子替代和一个或多个不相邻的CH2基团可以各自被O或S替代，W1和W2各自彼此独立地为-Z1-A1-Z2-A2m-R，和两者之一替代性地为R1或A3，但两者不同时为H，或是或U1和U2各自彼此独立地为CH2、O、S、CO或CS，V1和V2各自彼此独立地为CH2n，其中一至四个不相邻的CH2基团可以各自被O或S替代，并且V1和V2之一，在其中是的情况下两者为单键,n为1、2或3Z1和Z2各自彼此独立地为-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-O-CH2-、-CH2-O-、-S-CH2-、-CH2-S-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CF2-S-、-S-CF2-、-CH2-CH2-、-CF2-CH2-、-CH2-CF2-、-CF2-CF2-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-CH＝CH-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF＝CF-、-C≡C-、这些基团中两种的组合，其中没有两个O和或S和或N原子彼此直接键合，优选-CH＝CH-COO-或-COO-CH＝CH-或单键，A1、A2和A3各自彼此独立地为1，4-亚苯基，其中一个或两个不相邻的CH基团可以各自被N替代，1，4-亚环己基，其中一个或两个不相邻的CH2基团可以各自由O和或S替代，1，3-二氧戊环-4，5-二基、1，4-亚环己烯基、1，4-双环[2.2.2]亚辛基、哌啶-1，4-二基、萘-2，6-二基、十氢萘-2，6-二基或1，2，3，4-四氢萘-2，6-二基，其中这些基团中每个可以被L单取代或多取代，和此外A1可以是单键，L为卤素原子，优选F、CN、NO2、具有1-7个C原子的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰氧基，其中一个或多个H原子可以各自被F或Cl替代，m在每种情况下独立地为0、1、2或3，和R和R1各自彼此独立地为H、F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5、分别含有1或3到25个C原子的直链或支链烷基，它们可以任选地被F、Cl、Br、I或CN单取代或多取代和其中一个或多个不相邻的CH2基团各自可以各自被-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH＝CH-或-C≡C-替代，其中没有两个O和或S原子彼此直接键合，或可聚合基团特别优选式A-VI-1的手性联萘衍生物其中环B、R0和Z0如针对式A-IV和A-V所定义，并且b为0、1或2。特别是选自下式A-VI-1a至A-VI-1c的那些:其中环B、R0、和Z0如针对式A-VI-1所定义，和R0如式A-IV所定义，或H或具有1-4个碳原子的烷基，和b为0、1或2，和Z0特别为-OCO-或单键。在LC介质中一种或多种手性掺杂剂的浓度优选为0.001％-20％，优选0.05％-5％，更优选0.1％-2％，和最优选0.5％-1.5％。这些优选的浓度范围特别适用于手性掺杂剂S-4011或R-4011均来自MerckKGaA和具有相同或相似HTP的手性掺杂剂。对于与S-4011相比具有更高或更低的HTP绝对值的手性掺杂剂，这些优选的浓度必须根据它们相对于S-4011的HTP值成比例地降低，或成比例地增加。根据本发明LC介质或主体混合物的节距p优选为5-50μm，更优选8-30μm和特别优选10-20μm。根据本发明的化合物可以通过或类似于文献中描述的已知方法例如在标准著作中，例如Houben-Weyl,MethodenderOrganischenChemie[MethodsofOrganicChemistry],Georg-Thieme-Verlag,Stuttgart，在已知并适合于所述反应的反应条件下合成。此处也可以使用本身已知的变体，但此处不再提及。特别地，它们可以如以下反应方案中所述或类似于下列反应方案制备。制备本发明化合物的其他方法可以从实施例中获得。上文未明确提及的其他介晶化合物可任选且有利地也用于根据本发明的介质中。这些化合物是本领域技术人员已知的。液晶介质中式D化合物的总浓度范围为0.01％至1％，优选0.05％至0.75％，更优选0.08％至0.4％，更优选0.09％至0.3％，特别优选0.1％至0.2％。优选地，介质中式I至III化合物的总浓度范围为80％至99％，更优选90％至99％和最优选范围为95％至99％。式I-3化合物，优选式I-3b化合物在介质中的总浓度范围为10％至70％，更优选20％至60％，更优选30％至55％和最优选40％至50％。根据本发明的液晶介质优选包含总计5％至45％，优选10％至40％和特别优选15％至35％的式III化合物。在本发明的优选实施方案中，介质包含一种或多种式III-1的化合物，其总浓度为2％至25％，更优选5％至20％，特别优选8％至16％。在本发明的另一个优选实施方案中，其中液晶介质在每种情况下包含一种或多种式I，II和III的化合物，式I化合物的浓度优选为15％至40％，优选20％至35％，特别优选25％至30％，式II化合物的浓度优选为10％至35％，优选15％至30％，特别优选20％至25％，并且式III化合物的浓度优选为25％至50％，优选30％至45％，特别优选35％至40％。在本发明的优选实施方案中，其中液晶介质在每种情况下包含一种或多种式I和II化合物，但至多5％且优选不含式III化合物，式I化合物的浓度优选为10％至50％，优选为20％至40％，特别优选为25％至35％，式II化合物的浓度优选为40％至70％，优选为50％至65％，特别优选为55％至60％，和式III化合物的浓度优选为1％至4％，优选为1％至3％，特别优选为0％。在本发明优选的实施方案中，液晶介质包含总计30％或更多，优选40％或更多，和特别优选50％或更多的式I化合物，优选选自I-1、I-2和I-3的化合物，特别优选选自式I-2和I-3化合物。优选地，根据本发明的介质包含小于40％的总浓度的式I-1化合物，优选小于20％，特别优选小于15％。在本发明的优选实施方案中，液晶介质包含一种或多种式I化合物，其范围为1％至20％，优选5％至15％。在优选的实施方案中，该介质包含一种或多种式I-2的化合物，其总浓度为5％至30％，更优选10％至25％，和特别优选为15％至20％。在优选的实施方案中，根据本发明的介质中式I-3化合物的总浓度范围为10％至70％，更优选20％至60％，特别优选25％至55％。在优选的实施方案中，根据本发明的介质中式I-3化合物的总浓度为20％或更多，更优选25％或更多，和特别优选30％或更多。在本发明优选的实施方案中，该介质包含一种或多种式II化合物，其总浓度为5％至35％，更优选10％至30％，特别优选15％至20％。在本发明优选的实施方案中，该介质包含一种或多种式II-1的化合物，其总浓度为5％至25％，更优选7％至20％，特别优选10％至15％。在本发明优选的实施方案中，该介质包含一种或多种式II-1的化合物，其总浓度为25％或更低，更优选20％或更低，特别优选15％或更低，非常特别优选10％或更低。本发明其它优选的实施方案如下所示，其中一些化合物使用表C中给出的首字母缩略词缩写:-该介质包含一种或多种式D-1化合物，优选化合物D-1c-该介质包含一种或多种式D-1化合物和一种或多种式I和或II和或III化合物；-该介质包含一种或多种式III-1的化合物；-该介质包含一种或多种式I-3b化合物，优选化合物CPU-2-S和或CPU-4-S；-该介质包含一种或多种式PPTU-n-S的化合物，其总浓度为10-20％；-该介质包含一种或多种式PPTU-n-S和PGTU-n-S的化合物，其总浓度为15-25％；-该介质包含一种或多种式PTU-n-S化合物和一种或多种式CPU-n-S或CGU-n-S的化合物。根据本发明的液晶介质优选具有90℃或更高，更优选100℃或更高，更优选110℃或更高，更优选120℃或更高，更优选130℃或更高，特别优选140℃或更高和非常特别优选150℃或更高的清亮点。根据本发明的液晶介质优选具有160℃或更低，更优选140℃或更低，特别优选120℃或更低，和非常特别优选100℃或更低的清亮点。根据本发明的介质的向列相优选至少从0℃或更低延伸至90℃或更高。有利的是，根据本发明的介质展现甚至更宽的向列相范围，优选至少从-10℃或更低至120℃或更高，非常优选至少从-20℃或更低至140℃或更高，和特别地，至少从-30℃或更低至150℃或更高，非常特别优选至少从-40℃或更低至170℃或更高。在1KHz和20℃下，根据本发明的液晶介质的△ε优选为1或更大，更优选2或更大和非常优选3或更大。在589nmNaD和20℃下，根据本发明的液晶介质的△n优选为0.200或更大至0.90或更小，更优选0.250或更大至0.90或更小，甚至更优选0.300或更大至0.85或更小和非常特别优选0.350或更大至0.800或更小。在本申请的优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质的△n优选为0.50或更大，更优选0.55或更大。式I至III的化合物在每种情况下包括具有大于3的介电各向异性的介电正性化合物，具有小于3且大于-1.5的介电各向异性的介电中性化合物和具有-1.5或更小的介电各向异性的介电负性化合物。式I、II和III的化合物优选是介电正性的。在本申请中，表述介电正性描述其中Δε3.0的化合物或组分，介电中性描述其中-1.5≤Δε≤3.0的那些，且介电负性描述其中Δε-1.5的那些。Δε是在1kHz的频率和在20℃下测定。各个化合物的介电各向异性是由10％各个个别化合物在向列主体混合物中的溶液的结果来测定的。若主体混合物中各个化合物的溶解度低于10％，则浓度降至5％。测试混合物的电容在具有垂面配向的盒和具有沿面配向的盒二者中测得。该两种类型盒的盒厚为约20μm。所施加电压是频率为1kHz且有效值通常为0.5V至1.0V的矩形波，但其总是经选择以低于各个测试混合物的电容阈值。Δε定义为ε||-ε⊥，而εave.为ε||+2ε⊥3。用于介电正性化合物的主体混合物是混合物ZLI-4792，和用于介电中性和介电负性化合物的主体混合物是混合物ZLI-3086，二者均来自MerckKGaA,Germany。化合物的介电常数的绝对值是由在添加所研究化合物后主体混合物的各个值的变化来测得。将该值外推至100％的所研究化合物的浓度。在20℃的测量温度下以其原样测量具有向列相的组分，所有其他组分类似化合物处理。在两种情况下，除非另有明确说明，在本申请中表述“阈值电压”指的是光学阈值且是针对10％相对对比度V10给出的，且表述“饱和电压”指的是光学饱和且是针对90％相对对比度V90给出的。仅在明确提及时使用电容性阈值电压V0，也称为Freedericks阈值VFr。除非另外明确说明，本申请中指明的参数范围都包括极限值。对于不同的性质范围所指示的不同上限值和下限值彼此组合得到另外的优选范围。在整个申请中，应用以下条件和定义，除非另有说明。所有浓度是以重量百分比给出，且涉及各自的整体混合物，所有的温度值都以摄氏温度给出且所有的温度差都以度数差differentialdegree给出。所有物理性质是根据“MerckLiquidCrystals，PhysicalPropertiesofLiquidCrystals”，Status1997年11月，MerckKGaA德国测定的并且针对20℃的温度给出，除非另有明确说明。光学各向异性Δn在波长589.3nm下确定。介电各向异性Δε在1kHz频率下确定。使用由德国MerckKGaA生产的测试盒测定阈值电压以及所有其它电光性质。用以测定Δε的测试盒的盒厚为大约20μm。电极是具有1.13cm2面积和护圈guardring的圆状circularITO电极。对于垂面取向ε||，取向层是来自日本NissanChemicals的SE-1211和对于沿面取向ε⊥，取向层是来自日本JapanSyntheticRubber的聚酰亚胺AL-1054。使用Solatron1260频率响应分析仪，使用正弦波和0.3Vrms的电压来测定电容。在电光测量中使用的光是白光。这里使用利用来自德国Autronic-Melchers的商购的DMS仪器的装置。在垂直观察下测定特征电压。分别对于10％、50％和90％相对对比度测定阈值电压V10、中灰电压V50和饱和电压V90。如在A.Penirschke等“CavityPerturbationMethodforCharacterizationofLiquidCrystalsupto35GHz“,34thEuropeanMicrowaveConference–Amsterdam,pp.545-548中所描述的在微波频率范围中就它们的性能而言研究液晶介质。在这方面还比较了A.Gaebler等“DirectSimulationofMaterialPermittivities…“,12MTC2009–InternationalInstrumentationandMeasurementTechnologyConference,Singapore,2009IEEE,pp.463-467和DE102004029429A，其中同样详细描述了测量方法。将液晶引入聚四氟乙烯PTFE或石英毛细管中。毛细管的内径为0.5mm，外径为0.78mm。有效长度为2.0cm。将填充的毛细管引入圆柱形腔的中心，共振频率为19GHz。该腔的长度为11.5mm，半径为6mm。然后施加输入信号源，并使用商用矢量网络分析仪N5227APNA微波网络分析仪，KeysightTechnologiesInc.USA记录腔的频率依赖性响应。对于其他频率，腔的尺寸相应地调整adapt。使用填充有液晶的毛细管测量和没有填充有液晶的毛细管测量之间的共振频率和Q因子的变化用于测定相应目标频率下的介电常数和损耗角，其通过上述出版物A.Penirschke等,34thEuropeanMicrowaveConference–Amsterdam,pp.545-548中等式10和11测定，如其中所描述的。垂直和平行于液晶指向矢的特性的分量的值是通过在磁场中液晶的配向而获得。为此，使用永磁体的磁场。磁场强度为0.35特斯拉。优选的组件是移相器、变容二极管、无线和无线电波天线阵列、匹配电路、自适应滤波器和其它。在本申请中，术语“化合物”意指一种化合物以及多种化合物，除非另有明确说明。根据本发明的液晶介质优选在以上给出的优选范围内具有向列相。此处表述具有向列相是指一方面在相应温度下在低温下没有观察到近晶相和没有观察到结晶，另一方面在从向列相加热时没有发生清亮。在高温下，通过常规方法在毛细管中测量清亮点。低温下的研究在相应温度下的流动粘度计中进行，并通过块状bulk样品的存储进行检查：在给定温度T下，根据本发明的介质的本体bulk中的储存稳定性LTS通过目视检查测定。将2g感兴趣的介质填充到放置在预定温度的冰箱合适尺寸的封闭玻璃容器瓶子中。以限定的时间间隔检查瓶子是否发生近晶相或结晶。对于每种材料和每个温度，存储两个瓶子。如果在两个相应的瓶中的至少一个中观察到结晶或近晶相的出现，则终止测试，并且将在观察到更高有序相的出现之前的最后一次检查的时间记录为相应的储存稳定性。最后在1000小时后终止试验，即LTS值为1000小时意味着混合物在给定温度下稳定至少1000小时。此外，根据本发明的液晶介质的特征在于在可见光区域尤其是在589.0nm的波长即，在Na”D”线中高光学各向异性值。在589nm下双折射率优选为0.20或更高，特别优选为0.25或更高，特别优选为0.30或更高，特别优选为0.40或更高且非常特别优选为0.45或更高。另外，双折射率优选为0.80或更低。采用的液晶优选具有正性介电各向异性。这优选为2或更大，优选4或更大，特别优选6或更大且非常特别优选10或更大。此外，根据本发明的液晶介质通过微波范围内的高各向异性值表征。在约19GHz下的双折射率例如优选为0.14或更高，特别优选0.15或更高，特别优选0.20或更高，特别优选0.25或更高且非常特别优选0.30或更高。另外，双折射率优选为0.80或更低。微波范围内的介电各向异性定义为△εr≡εr,||-εr,⊥。可调谐性τ定义为τ≡△εrεr,||。材料品质η定义为η≡τtanδεr,max.，其中最大介电损耗为tanδεr,max.≡max.{tanδεr,⊥,；tanδεr,||}。优选液晶材料的材料品质η为6或更大、优选8或更大、优选10或更大、优选15或更大、优选17或更大、优选20或更大、特别优选25或更大且非常特别优选30或更大。在相应的组件中，优选的液晶材料的移相器品质为15°dB或更大、优选20°dB或更大、优选30°dB或更大、优选40°dB或更大、优选50°dB或更大、特别优选80°dB或更大且非常特别优选100°dB或更大。然而，在一些实施方案中，也可有利地使用具有介电各向异性的负值的液晶。使用的液晶是单一物质或者是混合物。它们优选具有向列相。术语“烷基”优选包括具有1至15个碳原子的直链和支链烷基，特别是直链基团甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基和庚基。通常优选具有2到10个碳原子的基团。术语“烯基”优选包括具有2到15个碳原子的直链和支链的烯基基团，尤其是直链基团。特别优选的烯基是C2-至C7-1E-烯基、C4-至C7-3E-烯基、C5-至C7-4-烯基、C6-至C7-5-烯基和C7-6-烯基，特别地C2-至C7-1E-烯基、C4-至C7-3E-烯基和C5-至C7-4-烯基。进一步优选的烯基的例子是乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-戊烯基、5-己烯基、6-庚烯基等等。通常优选具有至多5个碳原子的基团。术语“氟代烷基”优选包括具有末端氟的直链基团，即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基以及7-氟庚基。然而不排除其它位置的氟。术语“氧杂烷基”或“烷氧基烷基”优选包括式CnH2n+1-O-CH2m的直链基团，其中n和m各自彼此独立地表示1至10。优选n是1以及m是1至6。含有乙烯基末端基团的化合物和含有甲基末端基团的化合物具有低旋转粘度。在本申请中，高频技术是指频率范围为1MHz至1THz，优选1GHz至500GHz，更优选2GHz至300GHz的电磁辐射的应用，特别优选约5GHz至约150GHz。根据本发明的液晶介质可以以通常的浓度包含其它添加剂和手性掺杂剂。基于整个混合物计，这些其它组分的总浓度为0％至10％，优选0.1％至6％。使用的各个化合物的浓度各自优选为0.1％至3％。当在本申请中引用液晶介质的液晶组分和液晶化合物的值及浓度范围时，不考虑这些以及类似添加剂的浓度。优选地，根据本发明的介质包含一种或多种手性化合物作为手性掺杂剂以调节它们的胆甾醇型节距。根据本发明的介质中它们的总浓度优选在0.05％至15％、更优选1％至10％且最优选2％至6％的范围内。任选地，根据本发明的介质可包含其他液晶化合物以调节物理性质。这样的化合物为专家已知。根据本发明的介质中它们的浓度优选是0％至30％、更优选0.1％至20％且最优选1％至15％。分别地，对于相对调谐或光电响应的相对对比度从0％变化至90％t90–t0的时间，响应时间是以上升时间τon给出，即包括延迟时间t10–t0；对于相对调谐或光电响应的相对对比度从100％变化回至10％t100–t10的时间，响应时间是以衰退时间τoff给出，和作为总响应时间τ总计＝τon+τoff。根据本发明的液晶介质由多种化合物，优选3-30种、更优选4-20种且非常优选4-16种化合物组成。以常规的方式混合这些化合物。通常，将以较小量使用的所期望量的化合物溶解在以较大量使用的化合物中。如果温度高于以较高浓度使用的化合物的清亮点，则特别易于观察到溶解过程完成。然而，也可以用其它常规的方式制备该介质，例如使用所谓的预混，其可以，例如是化合物的均匀混合物或者低共熔混合物，或者使用所谓的“多瓶”体系，其成分本身是即用型的混合物。所有温度，如熔点TC，N或者TC，S、从近晶S相到向列N相的转变TS，N以及液晶的清亮点TN，I，都以摄氏度表示。所有的温度差都以度数差表示。在本发明以及特别是以下实施例中，通过缩写也称为首字母缩写词表示介晶化合物的结构。在这些首字母缩写词中，使用下表A至D来简化化学式。所有的基团CnH2n+1、CmH2m+1和ClH2l+1或者CnH2n-1、CmH2m-1和ClH2l-1分别表示在每种情况下具有n、m或l个C原子的直链烷基或烯基，优选1-E-烯基。表A中列出对于化合物的核心结构的环要素所用的代码，而表B中列出连接基团。表C给出左手边或右手边端基的代码的含义。表D显示化合物的示例性结构和它们各自的缩写。表A:环要素表B:连接基团表B:端基与其他组合使用其中n和m各自表示整数，和三个点“...”为来自此表的其他缩写的占位符。下表展示出示例性结构以及它们的各个缩写。展示这些以说明缩写规则的含义。它们此外表示优选使用的化合物。表C:示例性结构以下示例性结构是优选额外在介质中使用的化合物:PG-n-SPU-n-SPPG-n-SPGG-n-SPPU-n-SGGP-n-SPGU-n-SCPG-n-SCGG-n-SCPU-n-SCGU-n-SPVG-n-SPVU-n-SPTG-n-SPTU-n-SP2TU-n-SPI2TU-n-SPTP1-n-SPTP1,1-n-SPTU-Vn-OTPPTG-n-SPGTG-n-SPPTU-n-SPTPU-n-SPTPIc3TU-n-FPTPI2WU-n-FPTPI2GU-n-FPTGc3TU-n-FPTN1,4TP-n-FPGP-n-mPGP-F-OTPGP-n-mVPGP-n-mVlPYP-n-mGGP-n-FGGP-n-CLGGP-n-mPGIGI-n-FPGIGI-n-CLPGU-n-FPGU-n-CLPGU-n-OTPPU-T-SPPU-TO-SPPTUI-n-mPPTY-n-mPGGP-n-mPGIGP-n-mPGIGP-n-OmPGIGP-nO-mPYGP-n-mGGPP-n-mPPGU-n-FPPGU-Vn-FCPTP-n-mCPPC-n-mCGPC-n-mCCZPC-n-mCPGP-n-mCPGP-n-mVCPGP-n-mVlCGU-n-FCCPU-n-FCCGU-n-FCPGU-n-FCPGU-n-OTPUQU-n-FPGUQU-n-FDPGU-n-FDPGU-n-OTAPGP-n-m下表，表E展示出可在根据本发明的介晶介质中用作稳定剂的其它示例性化合物。介质中的这些和类似的化合物的总浓度优选为5％或更低。表E在本发明的优选实施方案中，介晶介质包含一种或多种选自来自表E的化合物的化合物。下表，表F展示出可优选在根据本发明的介晶介质中用作手性掺杂剂的示例性化合物。表FC15CB15CM21CM44CM45CM47CCCNRS-811RS-1011RS-2011RS-3011RS-4011RS-5011在本发明的优选实施方案中，介晶介质包含一种或多种选自来自表F的化合物的化合物。根据本申请的介晶介质优选包含两种或更多种，优选四种或更多种选自来自上表的化合物的化合物。根据本发明的液晶介质优选包含-7种或更多种，优选8种或更多种化合物，优选选自来自表D的化合物的具有3种或更多种，优选4种或更多种不同式的化合物。具体实施方式实施例以下实施例说明本发明而不以任何方式进行限制。然而，对于本领域技术人员清楚的是由物理性质可实现什么样的性质和它们可以什么范围修改。特别地，因此对本领域技术人员而言，良好地定义了可优选地实现的各种性质的组合。电压保持率VHR在MerckJapan生产的测试盒中测定。测试盒具有无碱玻璃基板，并且具有层厚度为50nm的聚酰亚胺配向层，这导致液晶的平面配向。层间隙是均匀的3.0μm。透明ITO电极的表面积为1cm2。除非另有说明，否则VHR在20℃VHR20和在100℃VHR100的烘箱中5分钟后在来自德国AutronicMelchers的市售仪器中测定。除非另有说明，否则所使用的电压具有60Hz的频率。VHR测量值的精确度取决于VHR的相应值。精确度随着值的减小而降低。通常在各种幅度范围内的值的情况下观察到的偏差在下表中按它们的数量级汇编。在来自德国Heraeus的商业仪器“SuntestCPS”中研究对于UV辐射的稳定性。除非明确指出，否则将密封的测试盒照射30分钟至2.0小时，无需额外加热。在300nm至800nm的波长范围内的照射功率为765Wm2V。使用边缘波长为310nm的UV“截止”滤波器以模拟所谓的窗玻璃模式。在每个系列的实验中，针对每种条件研究至少四个测试盒，并且相应的结果表示为相应的单独测量的平均值。通常通过暴露例如通过热，UV照射或LCD背光引起的电压保持率ΔVHR的降低根据以下等式1确定△VHRt＝VHRt-VHRt＝01。混合物实施例制备了具有下表中所示的组成和性质的液晶混合物N1-N5并且就其一般物理性质及其在19GHz和20℃下微波组件中的适用性进行表征。这些数据在单独混合物实施例的组成表下的表中给出。混合物N1混合物N2混合物N3混合物N4混合物N5用化合物D-1c稳定混合物N1至N5稳定化的混合物S1至S5分别由99.90％的混合物N1至N5和0.10％的化合物D-1c组成。对比混合物C1包含来自现有技术的替代性稳定剂ST-3a-1:如上所述测定混合物N1至N5，S1至S5和C1的VHRVHR100初始。接下来，将混合物分成两部分，并在氮气下各自填充到密封的安瓿ampoules中，并分别在烘箱中储存24小时和100小时。然后再次测定VHRVHR热负载24和VHR热负载100。结果总结在表1中。表1在热负载后的VHR:与未稳定化的混合物N1至N5相比，稳定化的混合物S1至S5在热负载后表现出显著改善的VHR值。此外，对比混合物C1的VHR值表明，根据本发明的稳定剂D-1c在100小时长期应力后也是有效的，而使用现有技术的稳定剂ST-3a-1给出了与未稳定化的混合物N1非常相似的结果。液晶混合物S6至S9和Ch1至Ch6根据下表制备。S6至S9和Ch1至Ch6在热负载后显示出与上述实施例同样高的VHR值。混合物S6混合物S7混合物S8混合物S9使用如下所示的手性掺杂剂A-II-1-1或A-III-1-1的优选胆甾醇混合物是优选的。胆甾醇混合物Ch1至Ch6具有以下组成:混合物主体％主体掺杂剂％掺杂剂Ch1S799.90A-II-1-10.10Ch2S799.80A-II-1-10.20Ch3S799.70A-II-1-10.30Ch4S799.75A-III-1-10.25Ch5S799.50A-III-1-10.50Ch6S799.25A-III-1-10.75混合物Ch1至Ch6显示出比没有手性掺杂剂的主体混合物S7更快的切换。

权利要求：1.液晶介质，特征在于其包含a一种或多种式D的化合物,其中表示R1A表示H，具有至多15个C原子的烷基，烯基或烷氧基，其中一个或多个CH2-基团可被替代，和其中一个或多个H原子可以被卤素替代,R2A表示H，具有至多7个C原子的烷基或烯基或烷氧基，其中一个或多个H原子可以被卤素替代,r是0或1；和b一种或多种选自式I，II和III化合物的化合物，其中R1表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,n是0，1或2,至在每次出现时彼此独立地表示其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，和其中替代性地表示R2表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,Z21表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-，和彼此独立地表示其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基；R3表示H，具有1至17个C原子的未氟化烷基或未氟化烷氧基，或具有2至15个C原子的未氟化烯基，未氟化烯基氧基或未氟化烷氧基烷基，其中一个或多个CH2-基团可被替代,Z31和Z32之一表示反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或-C≡C-和另一个独立于其地表示-C≡C-，反式-CH＝CH-，反式-CF＝CF-或单键，和至彼此独立地表示其中RL，在每次出现时相同或不同地表示H或具有1至6个C原子的烷基，和其中替代性地表示2.根据权利要求1的液晶介质，其中一种或多种式D的化合物选自式D-1和D-2的化合物其中R1A表示具有1至7个C原子的烷基。3.根据权利要求1或2的介质，其中所述介质中式D的化合物的总浓度范围为0.05重量％-1重量％。4.根据权利要求1-3中一项或多项的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种选自式I-1至I-5化合物的化合物其中L1，L2和L3在每次出现时，相同或不同地表示H或F，和R1，具有权利要求1中对于式I给出的含义。5.根据权利要求1-4中一项或多项的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种选自式II-1至II-3的化合物的化合物其中R2，具有权利要求1中对于式II给出的含义。6.根据权利要求1-5中一项或多项的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种选自式III-1至III-6化合物的化合物其中R3，具有权利要求1中对于式III给出的含义，和Z31和Z32彼此独立地表示反式-CH＝CH-或反式-CF＝CF-，和在III-6中替代性地Z31和Z32中之一可表示-C≡C-。7.根据权利要求1-6中一项或多项的液晶介质，其中所述介质另外包含一种或多种手性化合物。8.用于高频技术的组件，其特征在于其包含根据权利要求1至7中一项或多项的液晶介质。9.根据权利要求8的组件，其中所述组件适合于在微波范围内操作。10.根据权利要求8或9的组件，其中，所述组件是基于液晶的天线元件，移相器，可调谐滤波器，可调谐超材料结构，匹配网络或变容二极管。11.微波天线阵列，其特征在于，其包含一种或多种根据权利要求8至10中一项或多项的组件。12.根据权利要求1至7中一项或多项的液晶介质在用于高频技术的组件中的用途。13.制备根据权利要求1至7中一项或多项的液晶介质的方法，其特征在于将一种或多种式D的化合物与一种或多种选自式I，II和III的化合物的化合物混合，和任选加入其他介晶化合物和任选加入手性化合物。

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