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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
摘要：通过利用从浮区生长单晶硅锭切片的单晶硅处置晶片来提供一种具有优越射频装置性能的绝缘层上半导体例如，绝缘层上硅结构及一种制备此结构的方法。
主权项：1.一种多层结构，其包括：单晶硅晶片处置衬底，其包括其中的一者是所述单晶硅晶片处置衬底的前表面且其中的另一者是所述单晶硅晶片处置衬底的后表面的两个主要、大体上平行表面、结合所述单晶硅晶片处置衬底的所述前表面及所述后表面的圆周边缘及介于所述单晶硅晶片处置衬底的所述前表面与所述后表面之间的所述单晶硅晶片处置衬底的中心平面，其中所述单晶硅晶片处置衬底具有至少约5000欧姆-cm的体电阻率、小于约1×1016个原子cm3的填隙氧浓度及至少约1×1013个原子cm3的氮浓度，其中所述单晶硅晶片处置衬底具有小于1×1011个施体cm3的过量热施体浓度，其中在加热到450℃到650℃范围中时，过量热施体与所述单晶硅晶片处置衬底中的填隙氧复合以形成电活性过量施体，其中所述过量施体将在加热到高于约1050℃的情况下解离；富阱层，其与所述单晶硅晶片处置衬底的所述前表面界面接触，其中合适用于形成所述富阱层的材料包含多晶半导体材料及非晶半导体材料；电介质层，其与所述富阱层界面接触；及单晶半导体装置层，其与所述电介质层界面接触，其中所述单晶硅晶片处置衬底包括从通过浮区方法生长的单晶硅锭切片的硅晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 绝缘体晶片平台上的射频硅
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