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申请/专利权人：日亚化学工业株式会社

摘要：本发明的目的是提供一种能够确保散热性并且防止由于在向基板接合时产生的热应力而引起的绝缘膜和电极等的损坏的发光元件以及发光装置。发光元件以及发光装置具有：半导体层叠体，依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且排列有露出第1半导体层的多个露出部；绝缘膜，在多个露出部的上方具有开口部；第1电极，与露出部连接，并且一部分经由绝缘膜而配置在第2半导体层上；第2电极，被连接到第2半导体层；第1外部连接部，与第1电极连接，并且俯视时，与露出部分开地配置；以及第2外部连接部，与第2电极连接，并且第1外部连接部在俯视时包围1个露出部，并且分别包围相邻的露出部的第1外部连接部彼此分开。

主权项：1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体层叠体，所述半导体层叠体依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且，在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述半导体层叠体，在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，所述第1电极在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；第2电极，所述第2电极被连接到所述第2半导体层；第1外部连接部，所述第1外部连接部与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述第1外部连接部被配置多个，在俯视时分别是小片状且多个所述第1外部连接部包围1个所述露出部，并且分别包围相邻的所述露出部的所述第1外部连接部彼此分开。

全文数据：发光元件以及发光装置技术领域本发明涉及发光元件以及发光装置。背景技术现有技术中提出了以下的发光元件，该发光元件具备：半导体结构，具有：n型半导体层以及以使n型半导体层的一部分露出的方式层叠的发光层和p型半导体层；绝缘膜，具有设置在半导体结构上的多个开口部；n电极，穿过多个开口部中的设置在从发光层和p型半导体层露出的n型半导体层上的开口部而连接；p电极，穿过多个开口部中的设置在p型半导体层上的开口部而连接；p侧外部连接部，与p电极连接；以及n侧外部连接部，与n电极连接例如，特表2010-525586号。发明内容发明欲解决的技术问题在这样的发光元件中，为了确保散热性，优选增大n侧外部连接部和p侧外部连接部的面积。但是，在将发光元件接合到基板时，设置在从发光层和p型半导体层露出的n型半导体层上的大面积外部电极使热应力在n型半导体层露出的区域附近集中，有可能导致形成在n型半导体层露出的区域的绝缘膜和电极损坏。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种发光元件以及发光装置，能够在确保或提高散热性的同时，防止由于在向基板接合时产生的热应力所引起的绝缘膜和电极等的损坏。用于解决问题的技术手段本发明包含以下方面。1一种发光元件，其特征在于，包含：半导体层叠体，依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且，在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，覆盖所述半导体层叠体，在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；第2电极，被连接到所述第2半导体层；第1外部连接部，与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，与所述第2电极连接，所述第1外部连接部在俯视时包围1个所述露出部，并且分别包围相邻的所述露出部的所述第1外部连接部彼此分开。2一种发光装置，其特征在于，具有：基板，在上表面具有配线图案；发光元件，经由多个第1外部连接部和第2外部连接部，以倒装芯片方式安装于所述配线图案上；以及覆盖部件，覆盖所述发光元件、所述第1外部连接部、所述第2外部连接部和所述基板，所述发光元件具有：半导体层叠体，依次具有第1半导体层、发光层和第2半导体层，并且在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，覆盖所述半导体层叠体，并且在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；以及第2电极，被连接到所述第2半导体层，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述发光元件包括：第1外部连接部，与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，与所述第2电极连接，所述第1外部连接部在俯视时包围1个所述露出部，并且分别包围相邻的所述露出部的所述第1外部连接部彼此分开。发明效果根据本发明的一个实施方式的发光元件以及发光装置，能够在确保或提高散热性的同时，防止由于在向基板接合时产生的热应力所引起的绝缘膜和电极等的损坏。附图说明图1A是示意性地示出本发明实施方式1的发光元件的俯视图。图1B是图1A中的I-I'线剖视图。图1C是图1A中的II-II'线剖视图。图2A是示意性地示出本发明实施方式2的发光装置的俯视图。图2B是图2A的III-III'线剖视图。图3是示意性地示出本发明实施方式3的发光元件的俯视图。图4A是示意性地示出本发明实施方式4的发光元件的俯视图。图4B是示意性地示出用于与图4A的发光元件进行比较的发光元件的俯视图。图4C是示出图4A的发光元件与图4B的发光元件的热阻的测量值的图表。图5是示意性地示出本发明实施方式5的发光元件的俯视图。图6是示意性地示出本发明实施方式6的发光元件的俯视图。图7是示意性地示出本发明实施方式7的发光元件的俯视图。符号说明10、30、40、50、60、70发光元件11第1电极12第2电极13、33、43、53、63、73半导体层叠体13a发光层13b、33b、43b、53b、63b、73b露出部13n、33n第1半导体层13p、33p第2半导体层14绝缘膜14a开口部15支承基板16光反射性电极17保护层20发光装置21、31a、31b、31c、31d、31e、31f、41、41B、51a～51e、71a～71e第1外部连接部22、32、42a、42b、52、62a、62b第2外部连接部23基板24、25配线图案26保护元件27覆盖部件27a框体28透光部件具体实施方式在以下说明中参照的附图中，为了概略地示出实施方式，有时对各部件的比例、间隔、位置关系等进行夸张，或者省略部件的部分图示。另外，在俯视图和其剖视图中，也存在各部件的比例、间隔不一致的情况。在以下的说明中，对于相同名称和符号，原则上表示相同或本质上相同的部件，有时适当省略详细说明。〔发光元件10〕本发明的一个实施方式中的发光元件包含：半导体层叠体，依次具有第1半导体层、发光层以及第2半导体层，并且，在第2半导体层侧排列有第1半导体层从第2半导体层和发光层露出的多个露出部；绝缘膜，覆盖半导体层叠体，在多个露出部的上方具有开口部；第1电极，在开口部处与露出部连接，并且一部分经由绝缘膜而配置在第2半导体层上；第2电极，连接在第2半导体层上；第1外部连接部，与第1电极连接，在俯视时，与露出部分开地配置；以及第2外部连接部，与第2电极连接。在俯视时，第1外部连接部包围1个露出部，并且，将相邻的露出部分别包围的第1外部连接部彼此分开。也就是说，如图1A至1C所示，本发明的一个实施方式中的发光元件10构成为包含：半导体层叠体13、绝缘膜14、第1电极11、第2电极12、第1外部连接部21以及第2外部连接部22。特别是，第1外部连接部21有多个，在俯视时，分别是小片状。在俯视时，多个第1外部连接部21包围1个露出部，且与露出部分开地配置，并且，将相邻的露出部包围的多个第1外部连接部彼此分开。发光元件10的平面形状例如可以列举：大致矩形状、六边形等多边形、使它们的角为圆角的形状、圆形或椭圆形等。其中，优选为大致矩形。这样的发光元件10具有适合将设置有第1电极11、第2电极12、第1外部连接部21和第2外部连接部22的面的一侧作为安装面的倒装芯片安装的结构。发光元件10的与安装面相反侧的面成为主要的光提取面。在这样的发光元件中，在后述的发光元件向基板接合时，由于第1外部连接部被配置在露出部13b的周边，因此能够确保或提高散热性。另外，能够避免露出部13b附近的绝缘膜和电极的损坏。进一步地，第1外部连接部是小片状，多个第1外部连接部包围1个露出部，并且，将相邻的露出部包围的多个第1外部连接部彼此分开，从而在形成后述的发光装置中的覆盖部件的情况下，对于在基板上安装有倒装芯片的发光元件，由于不妨碍形成在发光元件与基板之间的覆盖部件的未固化的树脂材料的流动性，因此，容易配置覆盖部件到其正下方。基于此，能够确保发光装置的光提取效率。半导体层叠体13构成发光元件10的半导体层叠体13依次层叠第1半导体层13n、发光层13a和第2半导体层13p而构成。通常情况下，这样的半导体层叠体13被形成在绝缘性的支承基板15上。但是，发光元件10也可以是最终去除了支承基板15的元件。发光层13a和设置在发光层13a上表面的第2半导体层13p被设置在第1半导体层13n的上表面中的预定区域。也就是说，在第1半导体层13n上的部分区域不存在第2半导体层13p和发光层13a。这样，在第2半导体层侧，将第1半导体层13n从发光层13a和第2半导体层13p露出的区域称为露出部13b。进一步换言之，半导体层叠体13在第2半导体层13p的表面具有俯视时彼此分开的多个孔，第1半导体层13n在孔的底面露出。将在该孔的底面露出的第1半导体层13n称为露出部13b。孔将第2半导体层13p和发光层13a贯通，第2半导体层13p、发光层13a和第1半导体层13n的一部分在孔的侧面露出。露出部13b的形状、大小、位置、数量能够根据想要的发光元件的大小、形状、电极图案等而适当设定。露出部13b的形状例如可以列举：俯视时为圆或椭圆、三角形、四边形、六边形之类的多边形等，其中，优选圆形或近似于圆形的形状例如椭圆或六边形以上的多边形。露出部13b的大小能够根据半导体层叠体的大小、需要的发光元件的输出、亮度等而适当调整，例如，优选直径为数十μm～数百μm左右的大小。从另一个角度来讲，优选直径为半导体层叠体的一条边的120～15左右的大小。另外，相邻的露出部13b间的距离可以全部相同，也可以一部分或全部不同，但是优选全部大致相同。例如，露出部13b间的距离可以列举半导体层叠体的一条边的115～15左右。其中，优选比露出部的直径大。露出部13b优选在1个发光元件中规则地配置。通过这样配置，能够抑制发光元件的亮度不均，以大致均匀地进行光提取。具体而言，优选沿着第1方向规则地配置有多列。此处的第1方向是指与半导体层叠体13或发光元件10的一条边平行的一个方向。例如，优选沿着第1方向配置3列以上。另外，露出部13b优选在与第1方向正交的第2方向也配置有多行以上。例如，优选在第2方向配置有数行～十数行。露出部13b在与半导体层叠体的一部分的外边缘平行的第1方向和与第1方向正交的第2方向分别排列有多个，从而能够使后述第1外部连接部在沿着第1方向及第2方向排列的露出部的列和行之间彼此分开地配置。在第1方向排列的露出部13b的数量优选为2个以上，更优选为3个以上、5个以上或7个以上。在第2方向排列的露出部13b的数量可以比在第1方向排列的露出部13b的数量多，也可以比其少，但是优选比其少。换言之，配置成列状的露出部13b的沿着第2方向的列数优选比配置在一列中的露出部13b的数量少。多个露出部13b的俯视形状既可以全部是大致相同的形状、大致相同的大小，也可以是各不相同或部分不同的形状、大小。由于露出部13b是不具有发光层的区域，因此，通过将相同程度大小的多个露出部规则地成列配置，从而能够抑制发光面积和电流供给量的偏差。其结果，作为发光元件整体，能够抑制亮度不均。露出部13b优选在半导体层叠体13的外边缘的内侧形成有多个，配置在半导体层叠体13的外边缘的内侧的露出部的合计面积优选为半导体层叠体13的平面面积的30％以下、25％以下、20％以下、18％以下、15％以下。通过设定为这样的范围，能够实现向第1半导体层13n和第2半导体层13p的电流供给平衡，能够抑制由于供电不均而导致的亮度不均。特别优选是，露出部13b在俯视时为大致圆形状，其大小例如是直径数十μm～数百μm，在上表面侧以一定间隔、例如以露出部13b的直径的1.5倍～5倍的间隔进行配置。半导体层叠体13例如可以列举：III-V族化合物半导体、II-VI族化合物半导体等各种各样的半导体。具体而言，可以列举InXAlYGa1-X-YN0≤X、0≤Y、X+Y≤1等氮化物类的半导体材料，可以使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各层的膜厚和层结构可以使用该领域公知的条件。绝缘膜14绝缘膜14覆盖半导体层叠体13的上表面和侧面，并且在露出部13b的上方具有开口部14a，在第2半导体层13p的上方具有开口部14b。绝缘膜14覆盖半导体层叠体13，并且在露出部13b的上方具有开口部14a，从而能够在将第2半导体层13p上表面覆盖的绝缘膜14的上表面的大范围内形成第1电极11。绝缘膜14优选利用该领域公知的材料以能够确保电气绝缘性的材料和厚度形成。具体而言，绝缘膜14可以由金属氧化物和金属氮化物等例如从由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al组成的组中选出的至少一种氧化物或氮化物形成。绝缘膜只要具有能够确保绝缘性的膜厚即可。第1电极11和第2电极12第1电极11和第2电极12被配置在半导体层叠体13的上表面侧也就是说，与支承基板相反侧、第2半导体层侧。第1电极11经由露出部13b上方的绝缘膜14的开口部14a而与露出部13b连接。这种情况下，优选第1电极11以覆盖多个露出部13b的方式连接，更优选所有露出部13b被第1电极11覆盖，并一体地连接。因此，第1电极不仅配置在第1半导体层13n上，也配置在第2半导体层13p上方。也就是说，第1电极11经由绝缘膜14而配置在形成露出部13b的孔的侧面也就是说，发光层13a和第2半导体层13p的侧面及第2半导体层13p上。第2电极12穿过处于第2半导体层13p上方的绝缘膜14的开口部14b并配置在第2半导体层13p上，并且与第2半导体层13p连接。也可以是第1电极11和第2电极12与第1半导体层13n和第2半导体层13p分别不直接接触，而是经由后述的光反射性电极等导电性部件而电连接。第1电极11和第2电极12例如能够由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Al、Cu等金属或它们的合金的单层膜或层叠膜形成。具体而言，这些电极从半导体层侧由TiRhAu、TiPtAu、WPtAu、RhPtAu、NiPtAu、Al-Cu合金TiPtAu、Al-Si-Cu合金TiPtAu、TiRh等的层叠膜形成。膜厚可以是该领域中使用的膜的任意膜厚。在半导体层叠体的俯视形状为矩形的情况下，第1电极11和第2电极12的俯视形状优选同样地其外边缘形状是矩形或大致矩形。第1电极11和第2电极12优选俯视时在1个半导体层叠体上在一个方向并行交替地配置。例如，优选俯视时被配置为第1电极夹着第2电极。光反射性电极发光元件10优选具有存在于第1电极和或第2电极与第2半导体层之间的光反射性电极16。作为光反射性电极16，能够使用银、铝或以它们中的任何一种金属作为主成分的合金，更优选对从发光层发出的光具有特别高的光反射性的银或银合金。光反射性电极16优选具有能够有效地反射从发光层射出的光的厚度，例如可以列举：20nm～1μm左右。光反射性电极与第2半导体层的接触面积越大越好，因此，优选光反射性电极16也配置在第1电极11与第2半导体层13p之间。具体而言，光反射性电极16的总平面面积可以列举为半导体层叠体的平面面积的50％以上、60％以上、70％以上。在光反射性电极16含有银的情况下，为了防止银的迁移，也可以设置覆盖其上表面优选覆盖上表面和侧面的保护层17。作为保护层17，通常情况下，可以由被用作电极材料的金属和合金等导电性部件形成，也可以使用绝缘性部件形成。作为导电性部件，可以列举含有铝、铜、镍等金属的单层或层叠层。作为绝缘性部件，可以列举：与上述绝缘膜14同样的材料，其中优选使用SiN。由于SiN膜致密，因此是优异的抑制水分侵入的材料。为了有效防止银的迁移，保护层17的厚度可以列举数百nm～数μm左右。在用绝缘性部件形成保护层17的情况下，保护层17在光反射性电极的上方具有开口，从而能够将光反射性电极与第2电极电连接。需要说明的是，在发光元件10在第2半导体层13p上具有光反射性电极16和保护层17的情况下，将半导体层叠体13覆盖的绝缘膜14覆盖光反射性电极16和保护层17，并且，在第2电极12的正下方区域具有开口，基于此，将第2电极12和光反射性电极16电连接。第1外部连接部21和第2外部连接部22第1外部连接部21和第2外部连接部22为了与外部连接而设置。在第2半导体层13p的上方，第1外部连接部21设置于在绝缘膜14上表面设置的第1电极11上，并与第1电极11连接。第1外部连接部21是多个，分别是小片状。在俯视时，多个第1外部连接部21包围1个露出部13b，但是与露出部13b分开。另外，将相邻的露出部13b包围的多个第1外部连接部21彼此分开。第1外部连接部的数量能够根据在半导体层叠体形成的露出部的数量而适当设定。例如，对于1个露出部，为1以上即可，例如可以列举：2个、3个、4个等。但是，对于所有露出部，也可以不将第1外部连接部相同地配置，根据露出部13b的位置，包围露出部13b的第1外部连接部的数量和或形状也可以不同。例如，在与半导体层叠体的外边缘对置的位置和或与第2电极对置的位置和或被露出部围绕的半导体层叠体的内侧的位置，第1外部连接部的数量和或形状也可以不同。换言之，第1外部连接部21只要包括被如上所述地配置的情况，特别是被规则地配置的情况，则也可以包括被随机配置的情况。作为第1外部连接部的小片状，例如可以列举：三角形、四边形等多边形、扇形、半圆形、圆形、椭圆形、环形状、圆环形状、环状扇形、将这些形状的一部分切掉而成的形状或将其连结而成的形状等各种形状。其中，优选环状扇形这样的将圆环形状在径向分割成任意大小后的形状。这种情况下，圆环形状的中心被配置为与露出部的中心重叠，从而能够将在露出部产生的热扩散，因此，能够作为散热性更优异的发光元件。例如，1个小片状的平面面积可以列举2000μm2～5000μm2左右。包围露出部的第1外部连接部与露出部的间隔例如可以列举12μm～28μm。通过使露出部与第1外部连接部这样地接近，从而能够有效地对从在形成露出部13b的孔的侧面露出的发光层也就是说，由于发光元件的发光而产生的发热量大的第1半导体层13n与第2半导体层13p的接触部分产生的热进行散热。另外，露出部与第1外部连接部在俯视时不重叠，因此，能够避免或防止对露出部周边的半导体层叠体的损坏。将1个露出部包围的小片状的多个第1外部连接部21与将相邻的露出部包围的小片状的多个第1外部连接部21彼此分开。也就是说，在相邻的露出部间，配置有多个第1外部连接部。在相邻的露出部间，彼此分开的第1外部连接部21彼此优选例如分开3μm以上，更优选分开20μm以上。通过设定成这样的距离，能够使构成覆盖部件的未固化的树脂材料在第1外部连接部间流动，而不会产生空隙等。基于此，能够有效防止由于在发光元件与基板之间存在的气体的热膨胀而引起的发光元件的剥落等。发光元件10中的第1外部连接部21的合计平面面积能够根据半导体层叠体的大小、露出部的数量和大小等而适当设定。例如，第1外部连接部的合计平面面积配置为半导体层叠体13的平面面积的40％以上即可，优选为70％以上。另外，60％以下即可，优选为50％以下。通过设定为这样的范围，能够确保散热性的同时，在形成第1外部连接部21的材料为昂贵金属的情况下等，能够降低其制造成本。另外，通过大面积覆盖，能够缓解对附加的电极、绝缘膜、半导体层叠体等的应力。第2外部连接部22与第2电极连接。第2外部连接部22例如可以列举：在俯视时为三角形、四边形等多边形、扇形、半圆形、圆形、椭圆形、环形状、环状扇形、将这些形状的一部分切掉而成的形状或将它们连结而成的形状等各种形状。例如，可以列举在第1方向上较长的形状，在第1方向上具有比第2电极和半导体层叠体略短的长度，可以列举宽度为半导体层叠体的一条边的长度的115～13，优选为110～15。另外，也可以是在第1方向规则地或随机地配置的多个多边形例如，四边形、圆形或椭圆形等的形状。第2外部连接部22间的间隔可以是规则的，也可以是随机的。根据配置的部位，第2外部连接部22的形状和或大小也可以不同。例如可以列举：靠近半导体层叠体外边缘的部分为细或粗的四边形或者小或大的圆形等，中央部分或两端的内侧为粗或细的四边形或者小或大的圆形等。这种情况下，例如，第2外部连接部的大小可以设定为第1外部连接部的80％～500％左右、80％～200％左右、80％～150％左右。其中，优选的是，通过使俯视图中的第1外部连接部与第2外部连接部的面积比接近例如1：0.8～1.5左右，从而在将发光元件以倒装芯片方式安装在基板上时，能够缓解施加到发光元件的应力偏差。其结果，接合精度稳定。特别是，在第2外部连接部的大小设定为与第1连接部的大小相同例如1：0.9～1.1左右的情况下，该效果显著。另外，对形成后述覆盖部件的未固化的树脂材料的流动性也有帮助。第2外部连接部22优选配置成例如在上述第1方向上，被夹在多个第1外部连接部和多个露出部之间，从而对多个第1外部连接部进行2分割。也就是说，俯视时，优选第2外部连接部沿着第1方向配置，多个第1外部连接部21被配置为夹着第2外部连接部22。这种情况下，更优选配置成多个第1外部连接部21相对于配置有第2外部连接部22的区域的第1方向的中心线线对称。通过这样配置，在将发光元件10以倒装芯片方式安装在基板23上时，能够缓解施加到第1外部连接部21和第2外部连接部22的应力偏差。从而使得接合精度稳定。另外，对形成后述覆盖部件的未固化的树脂材料的流动性也有帮助。从而能够实现热应力的降低。第1外部连接部21和第2外部连接部22能够分别用该领域公知的方法形成。例如可以列举：镀敷法、溅射法、蒸镀法等。在用镀敷法形成第1外部连接部21和第2外部连接部22的情况下，可以使用Al、Ag、Al合金和Ag合金、Cu、Au、Ni等金属的单层或层叠结构。为了提高防腐性和与基板23的接合性，优选第1外部连接部21和第2外部连接部22的至少最上层由Au形成。需要说明的是，第1外部连接部21和第2外部连接部22的厚度能够根据发光元件的大小、特性等而适当调整，例如可以列举1μm～100μm左右。〔发光装置〕如图2A和2B所示，本发明的一个实施方式中的发光装置20具有：基板23，在上表面具有配线图案24、25；1个或多个上述发光元件10；覆盖部件27；以及透光部件28。基板23基板23在上表面具有配线图案24、25，并且在配线图案24、25上倒装芯片地安装发光元件10。作为基板的材料，例如可以列举：环氧玻璃、树脂、陶瓷等绝缘性部件、表面形成有绝缘性部件的金属部件等。其中，基板的材料优选使用耐热性和耐候性高的陶瓷。作为陶瓷材料，可以列举氧化铝、氮化铝等。配线图案24、25能够向发光元件供给电流即可，可以采用该领域通常使用的材料、厚度、形状等形成。具体而言，配线图案24、25例如可以列举：由铜、铝、金、银、铂、钛、钨、钯、铁、镍等金属或含有它们的合金等形成。为了高效地提取来自发光元件10的光，在基板的上表面形成的配线图案特别优选将其最表面用银或金等反射率高的材料覆盖。配线图案可以利用电解镀、非电解镀、蒸镀、溅射等形成。例如，在作为发光元件10的电极而与配线图案连接的第1外部连接部21和第2外部连接部22的最表面由金形成的情况下，优选配线图案的最表面也是Au。基于此，能够提高发光元件10与基板23的接合性。配线图案24、25优选在基板23的上表面具有正负图案。利用这样的配线图案，能够通过倒装芯片安装来连接发光元件10。在将形成有第1外部连接部21和第2外部连接部22的面作为下表面而以倒装芯片方式安装在基板23上的情况下，与下表面相反侧的上表面成为发光元件10的主要的光提取面。配线图案24、25不仅配置在基板23的上表面，也可以配置在内部和或下表面。发光元件10中的第1外部连接部21和第2外部连接部22与配线图案24、25的接合例如能够使用超声波接合法进行接合。这种情况下，也可以是加热和或加压。另外，作为接合部件，也可以使用金、银、铜等凸块、含有银、金、铜、铂、铝、钯等金属粉末和树脂粘合剂的金属糊、锡-铋类、锡-铜类、锡-银类、金-锡类等焊料、低熔点金属等钎材等。覆盖部件27覆盖部件27覆盖发光元件10的侧面、发光元件10与基板23之间、基板23的上表面、第1外部连接部21及第2外部连接部22的侧面。另外，对于发光元件10与基板23之间，小片状的第1外部连接部之间也覆盖。覆盖部件在发光元件的下表面优选也配置在露出部的正下方。另外，如后所述，发光装置20在发光元件的上表面具有透光部件28的情况下，优选覆盖部件27也覆盖透光部件28的侧面。覆盖部件27也可以配置在形成在基板23上的框体27a的内侧。框体27a优选在俯视时以包围发光元件10的方式与发光元件10分开地配置。利用这样的框体27a，能够限制覆盖部件27的形状。框体27a可以用与覆盖部件27相同的材料形成，也可以用不同的材料形成。覆盖部件27、框体27a可以利用具有光反射性、透光性、遮光性等的树脂、在这些树脂中含有光反射性物质、荧光体、扩散剂、着色剂等的树脂等形成。其中，覆盖部件优选具有光反射性和或遮光性。构成覆盖部件的树脂、光反射性物质等也可以使用在该领域中通常使用的物质中的任何一种。例如，作为树脂，可以列举：含有有机硅树脂、改性硅树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸树脂中的一种以上的树脂或混合树脂等。作为光反射性物质，可以列举：氧化钛、氧化硅、氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石等。从容易进入发光元件10与基板23之间特别是进入第1外部连接部21间，并且容易防止产生孔隙的观点考虑，构成覆盖部件27的材料优选含有流动性高、利用热或光的照射而固化的树脂。这样的材料例如可以列举示出粘度为0.5Pa·s～30Pa·s的流动性。另外，能够根据构成覆盖部件27的材料中的光反射性物质等的含量等，来改变光的反射量、透射量等。覆盖部件27例如优选含有20wt％以上的光反射性物质。覆盖部件27、框体27a例如可以利用射出成形、浇注成型、树脂印刷法、转移模塑法、压缩成型等来成形。透光部件28发光装置20优选在发光元件10的上表面具有透光部件28。透光部件28是覆盖发光元件的光提取面，使从发光元件射出的光的50％以上或60％以上透射，优选使70％以上透射并向外部释放的部件。透光部件可以含有光扩散剂、能够对从发光元件10射出的光的至少一部分进行波长转换的荧光体。透光部件28的下表面外边缘优选与发光元件的上表面外边缘一致或者仅位于上表面外边缘的内侧或外侧。透光部件28优选是板状，透光部件的厚度例如可以列举50μm～300μm。透光部件28优选在上表面侧的整个外周或一部分具有切口。基于此，透光部件28的上表面能够设定为比下表面小的面积，因此能够穿过透光部件28，以更小的面积提取光。透光部件例如可以由树脂、玻璃、无机物等形成。另外，含有荧光体的透光部件可以列举荧光体的烧结体、使树脂、玻璃或其他无机物中含有荧光体而得到的物质等。另外，也可以在平板状的树脂、玻璃、无机物等成形体的表面形成含有荧光体的树脂层。透光部件的透明度越高，则在与覆盖部件的界面越容易反射光，因此能够提高亮度。作为使透光部件含有的荧光体，例如在作为发光元件10而使用蓝色发光元件或紫外线发光元件的情况下，可以列举：以铈激发的钇·铝·石榴石系荧光体YAG：Ce、以铈激发的镥·铝·石榴石系荧光体LAG：Ce、以铕和或铬激发的含氮的铝硅酸钙系荧光体CaO-Al2O3-SiO2：Eu、以铕激发的硅酸盐系荧光体例如Sr,Ba2SiO4：Eu、β-塞隆Sialon系荧光体例如Si6-zAlzOzN8-z：Eu0＜Z＜4.2、CASN系荧光体、SCASN系荧光体等的氮化物系荧光体、KSF系荧光体K2SiF6：Mn、硫化物系荧光体、量子点荧光体等。通过将这些荧光体与蓝色发光元件或紫外线发光元件组合，能够得到期望的发光色的发光装置例如白色系的发光装置。在透光部件中含有这样的荧光体的情况下，荧光体的含量优选例如设定为5wt％～50wt％左右。透光部件以覆盖发光元件的光提取面的方式进行接合。透光部件与发光元件的接合能够经由或者不经由粘接材料地接合。粘接材料例如能够利用使用了环氧树脂或有机硅树脂等透光性树脂材料的粘接材料。在透光部件与发光元件的接合中，也可以使用通过压接、烧结、表面活性化接合、原子扩散接合、羟基接合而进行的直接接合法。发光装置20也可以任意地具有保护元件26等其他元件或电子部件等。这些元件和电子部件优选被埋设在覆盖部件27内。实施方式1如图1A～1C所示，该实施方式1的发光元件10包含：半导体层叠体13、绝缘膜14、第1电极11、第2电极12、第1外部连接部21和第2外部连接部22。半导体层叠体13包含蓝宝石，在表面有凹凸的支承基板15上依次层叠第1半导体层13n、发光层13a和第2半导体层13p而构成。半导体层叠体13的俯视形状是大致正方形形状，一条边的长度为1.0mm左右。在半导体层叠体13的第2半导体层13p侧的表面形成有多个露出部13b，第1半导体层13n在该露出部13b从第2半导体层13p和发光层13a露出。露出部13b在俯视时配置为矩阵状。具体而言，露出部13b沿着第1方向排列为每列8个的列状，沿着与第1方向正交的第2方向，分成两组，并且在半导体层叠体的两侧排列成每行4个的行状。露出部13b在俯视时是直径13μm左右的圆形，该相邻的圆的中心间的距离在第1方向及第2方向分别为170μm左右。半导体层叠体13被含有SiO2的绝缘膜14覆盖。绝缘膜14至少在多个露出部13b的上方和第2半导体层的与第2电极12连接的部位的上方分别具有开口部14a、14b。在第2半导体层13p与第1电极和或第2电极之间，含有银的光反射性电极16被配置在几乎整个面，光反射性电极16的上表面和侧面被保护层17覆盖。发光元件10在半导体层叠体13的上表面侧经由光反射性电极16而具有与第2半导体层13p连接的第2电极12。在俯视时，第2电极12形成在发光元件10的大致中央，其俯视形状是在第1方向较长的形状，以860×140μm左右的大小形成。发光元件10具有在俯视时在第2方向夹着第2电极12地形成的第1电极11。第1电极11经由绝缘膜14的开口部14a而与露出部13b连接，进一步地，经由绝缘膜14而形成在第2半导体层13p上。在第2电极12上以在第1方向成列地与第2电极12连接的方式配置有直径比该第2电极12的宽稍小的圆形状的第2外部连接部22。第2外部连接部22的直径是130μm左右。在配置成列状的第2外部连接部22的两侧，形成有多个第1外部连接部21。第1外部连接部21的平面形状是圆环的大致14的环状扇形的小片状，其平面面积是2000μm2左右。相对于1个露出部13b，4个第1外部连接部21分别被配置为与露出部13b接近但分开地包围露出部13b。第1外部连接部21间的距离D1是3μm～20μm左右。将相邻的露出部13b分别包围的第1外部连接部21被彼此分开地配置。对于分开的距离，例如，第1方向的距离D2和第2方向的距离D3是3μm～20μm左右。第1外部连接部21和第2外部连接部22的厚度是10μm～20μm左右。在这样的发光元件10中，第1外部连接部21被配置多个，并且分别是小片状、且多个第1外部连接部21包围1个露出部。进一步地，第1外部连接部与露出部分开，且将相邻的露出部包围的多个第1外部连接部彼此分开。基于此，在与由于发光元件的发光而产生的发热量大的第1半导体层13n也就是n型半导体层的接触部分，能够有效地散热。另外，在安装到基板时，能够抑制对露出部周边的半导体层叠体造成的损坏。进一步地，构成覆盖部件的未固化的树脂材料能够流动到第1外部连接部间，而不产生空隙等。基于此，能够提高发光装置的光提取效率，并且能够避免由于在第1外部连接部间产生空隙时气体的热膨胀而引起的发光元件剥落。其结果，能够得到高品质且光提取效率高的发光装置。实施方式2如图2A和2B所示，该实施方式2的发光装置20具有：在上表面具有配线图案的基板23；上述发光元件10；覆盖部件27；以及透光部件28。基板23含有氮化铝，在其上表面具有正负的配线图案24、25。配线图案24、25的最表面由Au形成。在基板23上，发光元件10以将形成有第1外部连接部21和第2外部连接部22的面作为安装面的方式，以倒装芯片方式安装。在发光元件10的上表面，含有约15重量％的YAG荧光体的YAG陶瓷作为透光部件28，由基于透光性的有机硅树脂的粘接剂固定。透光部件28的厚度是180μm左右，在俯视时，透光部件28的下表面的外边缘与发光元件10的外边缘几乎一致，或者配置在稍外侧。透光部件28的上表面的外边缘比下表面的外边缘更小，是与侧面之间的角部在整周上被倒角而成的形状，俯视时，配置在下表面的外边缘的稍内侧。俯视时下表面的外边缘与上表面的外边缘的距离是50μm～75μm左右。在发光元件10的侧方配置有保护元件26。保护元件26例如是稳压二极管。发光元件10的侧面以及发光元件10与基板23之间被覆盖部件27覆盖。覆盖部件27进一步地将基板23的上表面、第1外部连接部21和第2外部连接部22的整个侧面覆盖，并且将保护元件26埋设在覆盖部件27的内部。另外，覆盖部件将透光部件28的上表面露出，但覆盖透光部件28的侧面。需要说明的是，覆盖部件27被配置在框体27a的内侧。覆盖部件27和框体27a由含有约30重量％的氧化钛的改性硅树脂形成，具有光反射性。对于具有这样的结构的发光装置，如上所述地，发光元件自身能够在确保散热性的同时，在露出部附近有效地防止由于安装时的应力负荷而造成的电极等的损坏。因此，能够得到高品质且光提取效率高的发光装置。实施方式3如图3所示，该实施方式3的发光元件30除了包围露出部33b的第1外部连接部31a、31b、31c、31d的数量和形状以及第2外部连接部32的形状不同以外，与发光元件10的结构实质上相同。也就是说，在依次层叠有第1半导体层33n、发光层和第2半导体层33p的半导体层叠体33之上配置的第2电极12，配置有在第1方向带状地延伸的第2外部连接部32。发光元件30具有多个露出部33b，1个露出部33b分别被2个第1外部连接部31a～31f包围。在第1方向和第2方向上规则地排列的露出部33b中的与第2电极12相邻配置的露出部33b，在这些露出部33b与第2电极12之间，未配置有第1外部连接部，而是在第2电极12的相反侧，对1个露出部33b配置有2个第1外部连接部31a，该第1外部连接部31a在俯视时是圆环的约14的环状扇形小片状。第1外部连接部31a与露出部33b接近但分开。在沿着第1方向排列有的露出部33b中的不与第2电极12相邻且不与半导体层叠体33的外边缘对置的露出部33b，沿着第1方向，分别以夹着1个露出部33b的方式设置有在俯视时具有半圆环形状的小片状的第1外部连接部31b。第1外部连接部31b与露出部33b接近但是分开。进一步地，在与半导体层叠体33的在第1方向延伸的外边缘对置的露出部33b，沿着第1方向，分别以夹着露出部33b的方式配置有2个第1外部连接部31c。第1外部连接部31c与露出部33b接近但分开。第1外部连接部31c是俯视时半圆环形状的、半导体层叠体33的外边缘侧的一端部在外边缘侧延长的小片状。在与半导体层叠体33的在第2方向延伸的外边缘对置的露出部33b与外边缘之间，第1外部连接部31d与露出部33b接近但分开地配置。第1外部连接部31d是具有沿着露出部33b的外形的凹陷的带式的小片状。在该第1外部连接部31d，夹着露出部33b而对置地配置有具有半圆环形状的小片状的第1外部连接部31b。需要说明的是，与半导体层叠体33的角部和第2电极的角部对置的小片状的第1外部连接部31e、31f具有与露出部的大小和配置等、半导体层叠体33的形状等对应地稍作改变后的形状。但是，也可以是与上述任意一种相同的形状。在这样的发光元件30中，除了与发光元件10同样的效果以外，利用沿着半导体层叠体33外周的第1外部连接部，在发光元件30的外周，能够更牢固地与安装基板等连接。实施方式4如图4A所示，该实施方式4的发光元件40除了露出部43b的数量、包围露出部43b的第1外部连接部41的数量和厚度以及第2外部连接部42a、42b的形状和数量不同以外，与发光元件10的结构实质上相同。也就是说，在半导体层叠体43中，露出部43b沿着第1方向以每列7个的列状排列，并且沿着与第1方向正交的第2方向，分成两组，在半导体层叠体的两侧以每行3个的行状排列。露出部43b在俯视时是直径13μm左右的圆形，该相邻的圆的中心间的距离在第1方向和第2方向分别是170μm左右。在第2电极12之上，在两端侧配置有23个在俯视时为小圆形状的第2外部连接部42a，在中央部配置有7个在俯视时为大圆形状的第2外部连接部42b。另外，在沿着第1方向排列的露出部43b中的不与半导体层叠体43的外边缘对置的露出部43b，沿着第1方向和第2方向，分别以夹着1个露出部43b的方式，与露出部43b接近但分开地配置有4个俯视时为14的环状扇形的小片状的第1外部连接部41。但是，在第2电极12和与第2电极12相邻的露出部43b列之间，未配置小片状的第1外部连接部。进一步地，在与半导体层叠体43的在第1方向延伸的外边缘对置的露出部43b，沿着第1方向，分别与露出部43b接近但分开地配置有3个俯视时为环状扇形的小片状的第1外部连接部41。即使在该发光元件40中，也具有与发光元件10同样的效果。使用该发光元件40，测定热阻。热阻值利用依据JEDECJointElectronDeviceEngineeringCouncil的JESD51-14标准的瞬态热测定来求出。该测定方法是利用发光元件等元器件的接点温度Junctiontemperature与电压的相关关系，根据其电压变化算出温度变化的方法。为了进行比较，如图4B所示，制作除了俯视时在行列间相邻的4个露出部43b之间逐个地配置有圆形状的第1外部连接部41B以外、具有实质上相同的结构的发光元件40B。需要说明的是，第1外部连接部41B的合计的平面面积与发光元件40的第1外部连接部41的合计的平面面积为相同程度。该发光元件40B也与发光元件40同样地测定热阻。将这些结果示于图4C。根据图4C的结果可以确认，发光元件40相对于发光元件40B降低约23％的热阻。该热阻值的降低呈现良好散热性，并且有助于提供更高性能的发光装置。实施方式5如图5所示，该实施方式5的发光元件50除了包围露出部53b的第1外部连接部51a、51b、51c、51d、51e的数量和形状以及第2外部连接部52的数量和形状不同以外，与发光元件10、30、40的结构实质上相同。也就是说，发光元件50具有在第1方向带状延伸的第2电极12，该第2电极12被配置在依次层叠有第1半导体层53n、发光层和第2半导体层53p的半导体层叠体53之上。在第2电极之上沿着第1方向列状地配置有多个小片状的第2外部连接部52。发光元件50具有多个露出部53b，多个露出部53b在第1方向和第2方向规则地配置。在沿着第1方向排列的露出部53b中的不与第2电极12相邻且不与半导体层叠体53的外边缘对置的露出部53b，沿着第1方向，分别以夹着1个露出部53b的方式，配置有2个俯视时具有半圆环形状的小片状的第1外部连接部51a。在与第2电极12相邻地配置的露出部53b中，与第2电极12之间未配置第1外部连接部，而是在与第2电极12的相反侧配置有俯视时具有半圆环形状的小片状的第1外部连接部51a。在与半导体层叠体53的在第1方向延伸的外边缘对置的露出部53b，分别以夹着露出部53b的方式在第1方向以第1外部连接部51b、露出部53b、第1外部连接部51b的顺序配置有2个第1外部连接部51b。第1外部连接部51b是俯视时具有半圆环形状的小片状的且半导体层叠体33的外边缘侧的一端部向外边缘侧延伸的小片状。在与半导体层叠体53的在第2方向延伸的外边缘对置的露出部53b，在与外边缘之间，以具有沿着露出部33b外形的凹陷的带式的小片状的方式，沿着第2方向配置有第1外部连接部51d。需要说明的是，与半导体层叠体53的外边缘或角部对置的小片状的第1外部连接部51e、51c具有与露出部的大小和配置等、半导体层叠体53的形状等对应地以半圆环形状的小片沿着半导体层叠体的外边缘的方式稍作变化的形状。但是，也可以是与上述任意相同的形状。所有第1外部连接部51a～51e与露出部53b接近但分开。另外，在半导体层叠体53的1个外边缘侧，在包围相邻的露出部的第1外部连接部51a间配置有圆形的电极51X。电极51X与第1外部连接部同样地与第1电极连接，例如，在测定发光元件的光学特性时，能够用作探针用的电极。在配置于半导体层叠体53之上且在第1方向带状延伸的第2电极12上，配置有多个第2外部连接部52。小片状的第2外部连接部例如是圆角的大致四边形状，多个大致相同形状的第2外部连接部以均等的间隔例如，16μm左右沿着第1方向配置。第2外部连接部52能够设定为与1个第1外部连接部51a～51e同等～约3倍左右的平面面积。需要说明的是，能够将第2外部连接部52中的例如两端的第2外部连接部52用作测定发光元件的光学特性时的探针用的电极。在这样的发光元件50中，与发光元件10、30、40同样的效果，也就是说，利用沿着半导体层叠体33的外周的第1外部连接部，在发光元件30的外周，能够更牢固地连接到安装基板等。除此之外，通过减小第2外部连接部与第1外部连接部的平面面积差，从而在将发光元件倒装芯片地安装在基板上时，接合时第1外部连接部和第2外部连接部的压溃量为相同程度，接合精度稳定。基于此，能够缓和施加到发光元件的应力的偏差。另外，对形成上述覆盖部件的未固化的树脂材料的流动性也能够有帮助。基于此，能够降低热应力。实施方式6如图6所示，该实施方式6的发光元件60除了与第2外部连接部52的形状不同以外，与发光元件50的结构实质上相同。也就是说，露出部63b、第1外部连接部51a～51e、电极51X的形状和配置与发光元件50相同。在第2电极12上配置的小片状的第2外部连接部62a、62b中的两端第2外部连接部62a例如为了用作测定发光元件的光学特性时的探针用的电极，而以较大的形状配置，配置在它们之间的第2外部连接部62b以小于第2外部连接部62a的形状配置多个，并且以均等的间隔沿着第1方向配置。更小形状的第2外部连接部62b能够设定为与1个第1外部连接部51a～51e同等～约1.5倍左右的平面面积。对于这样的发光元件60，能够得到与发光元件10、30、40和50同样的效果。进一步地，通过进一步降低第2外部连接部与第1外部连接部的平面面积差，在将发光元件以倒装芯片方式安装在基板上时，接合时第1外部连接部和第2外部连接部的压溃量为相同程度，接合精度更稳定。基于此，能够缓和施加到发光元件的应力的偏差。另外，对形成上述覆盖部件的未固化的树脂材料的流动性也有帮助。基于此，能够降低热应力。实施方式7如图7所示，该实施方式7的发光元件70除了第1外部连接部的形状和配置不同以外，与发光元件60的结构实质上相同。也就是说，第2外部连接部62a、62b的形状和配置与发光元件60相同。在不与第2电极12相邻的露出部73b，分别以夹着1个露出部73b的方式，在第2方向按照第1外部连接部71a、露出部73b、第1外部连接部71a的顺序配置有2个第1外部连接部71a。在与第2电极12相邻地配置的露出部73b，在与第2电极12之间未设置第1外部连接部，而是在第2电极12的相反侧沿着第1方向设置有第1外部连接部51a。这样，通过沿着第1方向配置以露出部为中心的大致半圆环形状的小片状的第1外部连接部，形成上述覆盖部件的未固化的树脂材料容易沿着第1外部连接部流动所谓毛细现象。需要说明的是，与半导体层叠体73的外边缘或角部对置的小片状的第1外部连接部71b、71c、71d、71e具有与露出部的大小和配置等、半导体层叠体73的形状等对应地以半圆环形状的小片沿着半导体层叠体的外边缘的方式稍作变化的形状。对于这样的发光元件70，能够得到与发光元件10、30和60同样的效果。进一步地，通过调整第1外部连接部的形状、朝向，能够控制发光元件正下方的树脂材料流动的方向、速度，能够在抑制孔隙产生的同时简便地形成覆盖部件。

权利要求：1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体层叠体，所述半导体层叠体依次具有第1半导体层、发光层及第2半导体层，并且，在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述半导体层叠体，在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，所述第1电极在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；第2电极，所述第2电极被连接到所述第2半导体层；第1外部连接部，所述第1外部连接部与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述第1外部连接部在俯视时包围1个所述露出部，并且分别包围相邻的所述露出部的所述第1外部连接部彼此分开。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第1外部连接部具有小片状，利用所述小片分别规则地包围1个所述露出部。3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中，所述小片中的与所述半导体层叠体的外边缘面对置的小片的平面面积大于不与所述半导体层叠体的外边缘面对置的小片的平面面积。4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，所述露出部在与所述半导体层叠体的一部分的外边缘平行的第1方向和与该第1方向正交的第2方向上分别排列有多个。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，俯视时，所述第2外部连接部是在所述第1方向上较长的形状，所述第1外部连接部被配置为在所述第2方向上夹着所述第2外部连接部。6.根据权利要求4所述的发光元件，其中，俯视时，多个所述第2外部连接部沿着所述第1方向列状地配置，所述第1外部连接部被配置为在所述第2方向上夹着所述第2外部连接部。7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光元件，其中，俯视时，在所述第2电极和与该第2电极相邻的所述露出部之间，未配置所述第1外部连接部。8.一种发光装置，其特征在于，具有：基板，所述基板在上表面具有配线图案；发光元件，所述发光元件经由多个第1外部连接部和第2外部连接部而以倒装芯片方式安装于所述配线图案上；以及覆盖部件，所述覆盖部件覆盖所述发光元件、所述第1外部连接部、所述第2外部连接部和所述基板，所述发光元件具有：半导体层叠体，所述半导体层叠体依次具有第1半导体层、发光层和第2半导体层，并且在所述第2半导体层侧排列有所述第1半导体层从所述第2半导体层和所述发光层露出的多个露出部；绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述半导体层叠体，并且在多个所述露出部的上方具有开口部；第1电极，所述第1电极在所述开口部处与所述露出部连接，并且所述第1电极的一部分经由所述绝缘膜而配置在所述第2半导体层上；以及第2电极，所述第2电极被连接到所述第2半导体层，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述发光元件包括：第1外部连接部，所述第1外部连接部与所述第1电极连接，并且俯视时与所述露出部分开地配置；以及第2外部连接部，所述第2外部连接部与所述第2电极连接，所述第1外部连接部在俯视时包围1个所述露出部，并且分别包围相邻的所述露出部的所述第1外部连接部彼此分开。9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，所述覆盖部件含有光反射性物质。10.根据权利要求8或9所述的发光装置，其中，俯视时，所述第2外部连接部为多个小片状且彼此分开。

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