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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种SiN夹层的STI隔离结构三极管抗总剂量辐照加固方法，属于三极管抗辐射加固技术领域。本发明所述方法中，STI隔离结构为SiO2‑SiN‑SiO2夹层结构，SiN夹层不仅可以降低氧化层固定正电荷的密度，也可以对H+向SiO2‑Si界面的输运起到抑制作用，降低界面态密度，减小过剩基极电流的大小。本发明所述方法解决了三极管总剂量辐照后电流增益下降的问题，提高了三极管的抗总剂量辐照能力，提高了三极管的可靠性和寿命，对三极管电路的空间环境应用具有重要意义。
主权项：1.一种SiN夹层的STI隔离结构三极管抗总剂量辐照加固方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对第一导电类型衬底硅片1进行掺杂离子注入，退火形成第二导电类型埋层2；在第二导电类型埋层2的上表面生长第二导电类型集电极阱区3；对第二导电类型集电极阱区3的上表面的中间区域进行光刻及掺杂离子注入，形成第一导电类型基极阱区5；步骤2、在第二导电类型集电极阱区3和第一导电类型基极阱区5的上表面生长氧化层、淀积氮化硅层，进行刻蚀形成N个沟槽，N为≥6的偶数；步骤3、在STI沟槽内生长第一层二氧化层，然后依次沉淀氮化硅层和第二层二氧化硅层，形成SiO2-SiN-SiO2夹层结构，作为STI浅槽隔离区9；步骤4、在第二导电类型集电极阱区3和第一导电类型基极阱区5的上表面进行光刻并注入，形成三极管的第二导电类型发射极阱区7、第二导电类型集电极注入区4和第一导电类型基极注入区6；在第二导电类型发射极阱区7表面光刻并注入，形成第二导电类型发射极注入区8，抗总剂量辐照加固三极管结构制备完成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种SiN夹层的STI隔离结构三极管抗总剂量辐照加固方法
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