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一种磁场增强的碲化钨二维材料一氧化氮探测方法 

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申请/专利权人:电子科技大学中山学院

摘要:本申请涉及气体探测技术领域,具体涉及一种磁场增强的碲化钨二维材料一氧化氮探测方法,包括步骤1、在测试腔室内设置碲化钨二维材料电阻测试设备;步骤2、在测试腔室内通入一氧化氮气体,测量碲化钨二维材料的电阻Rg;其中,向碲化钨二维材料上施加磁场。步骤3、在测试腔室内通入空气,测量碲化钨二维材料的电阻Ra;步骤4、通过Ra和Rg的差异实现一氧化氮气体浓度探测。本发明应用磁场增强了一氧化氮吸附引起的自旋极化效应和电阻变化,使传感器能更灵敏地检测低浓度一氧化氮气体,在气体探测技术领域具有良好的应用前景。

主权项:1.一种磁场增强的碲化钨二维材料一氧化氮探测方法,包括如下步骤:步骤1、在测试腔室内设置碲化钨二维材料电阻测试设备;步骤2、在测试腔室内通入一氧化氮气体,测量碲化钨二维材料的电阻Rg;步骤3、在测试腔室内通入空气,测量碲化钨二维材料的电阻Ra;步骤4、通过Ra和Rg的差异实现一氧化氮气体浓度探测;其特征在于,在步骤2中,向碲化钨二维材料上施加磁场。

全文数据:

权利要求:

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