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申请/专利权人：中国科学技术大学
摘要：本发明提供的一种通过反射波强度测量对准微芯片感应器件与波导的方法，选择在感应器件以及与感应器件相邻的芯片结构上反射率不同的电磁波，通过波导入射在微芯片表面上，并调整波导输出端口相对于微芯片表面的位置、角度、以及距离，使电磁波在微芯片表面上垂直入射和反射后，再重新进入波导输出端口并在波导中反向传播。该方法使用一个波导元件将反射波与入射波分开，并测量反射波相对于入射波的强度。通过调整波导输出端口相对于感应器件的水平位置，并观察当电磁波的入射区域从感应器件过渡到与之相邻的芯片结构时反射波强度的跃变，可以确定感应器件的边界并使波导输出的电磁波入射到感应器件上。本发明可降低对准成本、提高信号耦合效率。
主权项：1.一种通过反射波强度测量对准微芯片感应器件与波导的方法，其特征在于，包括以下步骤，将一个可以在波导中传输的单色或复色电磁波信号输入所述波导并通过所述波导的输出端口入射到所述微芯片表面上，感应器件和包括衬底和引线在内的与所述感应器件相邻的其它芯片结构对所述电磁波信号的反射率应有差异；使用一个定位装置调整所述波导输出端口和所述微芯片的相对位置、方向、和垂直距离，使所述波导输出的电磁波信号在所述微芯片表面垂直入射和反射后返回所述波导并在所述波导中反向传输；使用一个波导元件将从所述微芯片表面反射后返回所述波导并在波导中反向传输的电磁波与入射电磁波分开，并用一个电磁波功率计测量反射电磁波的强度；使用所述定位装置在与所述微芯片表面平行方向调整波导输出端口与感应器件的水平相对位置，在这一过程中测量反射电磁波的强度，并观察当波导输出的电磁波在微芯片表面的入射区域跨越感应器件和与其相邻的其它芯片结构的边界时，反射波强度相对于入射波强度的跃变，由此确定感应器件和与其相邻的其它芯片结构之间的边界；根据上述确定的感应器件和与其相邻的其它芯片结构之间的边界，使用所述定位装置调整波导输出端口和感应器件的水平相对位置，使波导输出的电磁波在微芯片表面的入射范围处于感应器件上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 通过反射波强度测量对准微芯⽚感应器件与波导的⽅法
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