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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：提供了一种在衬底表面上形成介电材料层的方法。该方法可包括以下步骤：沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供乙烯基取代的环硅氧烷前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；以及用UV光照射衬底。
主权项：1.一种在衬底表面上形成介电材料层的方法，该方法包括以下步骤：沉积步骤，包括：在第一反应室内提供衬底；向第一反应室提供乙烯基取代的环硅氧烷前体；向第一反应室提供反应物；以及向第一反应室提供脉冲等离子体功率；和固化步骤，包括：向衬底提供固化气体；以及用UV光照射衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 使用等离子体形成介电材料层的方法
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