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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明公开了一种测量G欧级半导体式气敏传感器内阻的方法，包括以下步骤：充电过程：控制直流电源Ur通过待测半导体传感器R向电容C充电，同时检测电容C两端的电压值U0并记录，当电容C两端的电压U0充电到一定值时，充电结束，记录充电时间t；计算获得待测半导体传感器R电阻值；放电过程：对电容C进行快速放电；重复执行充电过程和放电过程，直至获得一个稳定的待测半导体传感器R电阻值，该稳定的待测半导体传感器R电阻值即为待测半导体传感器R内阻值。本发明利用简单低成本的电容充放电路，能够准确快速的测量出半导体传感器电阻的大小。
主权项：1.一种基于电容充放电的测量G欧级大电阻的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：控制直流电源Ur通过待测大电阻R向电容C充电，同时检测电容C两端的电压值U0并记录，当电容C两端的电压U0充电到一定值时，充电结束，记录充电时间t；计算获得待测大电阻R电阻值： （1）式（1）中，U为电容C的额定电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种测量G欧级半导体式气敏传感器内阻的方法
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