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申请/专利权人：湖南德智新材料有限公司
摘要：本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供了一种制备碳化硅陶瓷材料的方法、应用及碳化硅陶瓷材料，所述制备碳化硅陶瓷材料的方法包括：提供一基底，将所述基底置于化学气相沉积设备，进行抽真空，然后通入惰性气体并加热；将反应气体和氮源气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和还原性气体；设置沉积的工艺参数：沉积温度为1100℃‑1800℃，沉积压力为8000Pa‑90,000Pa，调节碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:1‑70；化学气相沉积完成后，停止通入反应气体及氮源气体。该制备方法制得的碳化硅陶瓷材料具有高热导率、高纯度及高致密度等优良特性，能够满足半导体刻蚀需求。
主权项：1.一种制备碳化硅陶瓷材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供一基底，将所述基底置于化学气相沉积设备，进行抽真空，然后通入惰性气体并加热；2将反应气体和氮源气体通入化学气相沉积设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和还原性气体；设置沉积的工艺参数：沉积温度为1100℃-1550℃，沉积压力为35,000Pa-50,000Pa，调节碳硅烷烃和还原性气体的流量比为1:15-30；所述氮源气体的流量为5Lmin-15Lmin；3化学气相沉积完成后，停止通入反应气体及氮源气体；所述氮源气体为氮气和或氨气；所述碳化硅陶瓷材料的热导率为310WmK-360WmK，所述碳化硅陶瓷材料的孔隙率为0.05％-0.1％，所述碳化硅陶瓷材料的密度为3.2gcm3-3.23gcm3，所述碳化硅陶瓷材料的晶粒具有111面或220面，所述碳化硅陶瓷材料满足以下条件：所述碳化硅陶瓷材料的晶粒的尺寸范围为1μm～150μm，所述碳化硅陶瓷材料的晶粒的大角度晶界面占比为85％-95％，大角度晶界面为大晶粒之间的晶界。
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