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申请/专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种SICMOSFET用方形元胞机构，涉及半导体技术领域，具体包括中心元胞层、上元胞层和下元胞层，所述中心元胞层位于上元胞层和下元胞层之间，且所述上元胞层、中心元胞层和下元胞层上下交替排列；所述中心元胞层包括第一主体元胞，所述上元胞层包括第二主体元胞，所述下元胞层包括第三主体元胞，所述第一主体元胞、第二主体元胞和第三主体元胞三者的四角均设有补偿区域。该SICMOSFET用方形元胞机构，主体元胞上下交替排列，元胞的四个角通过设置补偿区域，使其既能解决因对角线带来的JFET变宽导致的栅极氧化层承受的电场变大，又利用临近光学修正技术解决了方角变圆角的问题。
主权项：1.一种SICMOSFET用方形元胞机构，包括中心元胞层、上元胞层和下元胞层，其特征在于：所述中心元胞层位于上元胞层和下元胞层之间，且所述上元胞层、中心元胞层和下元胞层上下交替排列；所述中心元胞层包括第一主体元胞1，所述上元胞层包括第二主体元胞3，所述下元胞层包括第三主体元胞4，所述第一主体元胞1、第二主体元胞3和第三主体元胞4三者的四角均设有补偿区域2，且所述第一主体元胞1上方的两个补偿区域2分别位于相邻的两个第二主体元胞3下方的两个补偿区域2之间，所述第一主体元胞1下方的两个补偿区域分别位于相邻的两个第三主体元胞4上方的两个补偿区域2之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏中科汉韵半导体有限公司 一种SIC MOSFET用方形元胞机构
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