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申请/专利权人：北京芯力技术创新中心有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种堆叠晶圆深硅通孔形成方法及半导体器件。所述方法包括：在衬底上沉积介电膜层，通过光刻工艺将刻蚀图案转印到介电膜层，作为硬掩模层；按照刻蚀图案进行对第一晶圆衬底上的硬掩模层刻蚀，从而形成硅通孔TSV以及TSV盲孔；通过氧化沉积工艺在TSV内部沉积生成线性氧化物层，在线性氧化物层上填充并形成表面与介膜层的表面保持平整一致的支撑层；进行金属线互联，并制作用于混合键合的盲孔和或焊盘，形成第一晶圆；将第一晶圆与第一晶圆以外的第二晶圆混合键合，从而形成堆叠晶圆；进行CuCMP工艺，形成用于将堆叠晶圆的电信号导出的TSV。通过利用本发明，制造半导体器件的工艺窗口显著增大，工艺难度显著降低。
主权项：1.一种堆叠晶圆深硅通孔形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在衬底上沉积介电膜层，通过光刻工艺将刻蚀图案转印到介电膜层，作为硬掩模层；步骤S2，按照所述刻蚀图案进行对所述第一晶圆衬底上的硬掩模层刻蚀，从而形成硅通孔TSV以及TSV盲孔；步骤S3，通过氧化沉积工艺在TSV内部沉积生成线性氧化物层，在所述线性氧化物层上填充并形成表面与介膜层的表面保持平整一致的支撑层；步骤S4，进行金属线互联，并制作用于混合键合的盲孔和或焊盘，形成第一晶圆；步骤S5，将所述第一晶圆与所述第一晶圆以外的第二晶圆混合键合，从而形成堆叠晶圆；步骤S6，进行CuCMP工艺，形成用于将所述堆叠晶圆的电信号导出的TSV。
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