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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：集成电路IC结构包括底部层级IC管芯以及一个或多个顶部层级IC管芯。一个或多个顶部层级IC管芯的第一侧接合至底部IC管芯。支撑衬底耦合至一个或多个顶部层级IC管芯的第二侧。多个导电衬底通孔TSV每个垂直延伸穿过支撑衬底。金属盖结构设置在支撑衬底上方。金属盖结构热耦合至导电TSV。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：底部层级集成电路IC管芯；一个或多个顶部层级集成电路管芯，其中，所述一个或多个顶部层级集成电路管芯的第一侧接合至所述底部集成电路管芯；支撑衬底，耦合至所述一个或多个顶部层级集成电路管芯的第二侧；多个导电衬底通孔TSV，每个垂直延伸穿过所述支撑衬底；以及金属盖结构，设置在所述支撑衬底上方，其中，所述金属盖结构热耦合至所述导电衬底通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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