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申请/专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
摘要：本发明提供一种电平移位器件结构，其特征在于，包括：位于一半导体区域内的电平移位MOS晶体管，包括源极区域，漏极区域和掺杂区域；隔离结构，从所述掺杂区域的两侧分别延伸，以共同呈环形闭合形状，将所述半导体区域划分为被所述隔离结构包围的高压侧区域，和位于所述隔离结构外围的低压侧区域；漏极区域，设置于所述高压侧区域中；以及源极区域，设置于所述低压侧区域中。本发明通过设置隔离结构的的形状和厚度以提高器件的耐压。
主权项：1.一种电平移位器件结构，其特征在于，包括：位于一半导体区域内的电平移位MOS晶体管，包括源极区域，漏极区域和掺杂区域；以及隔离结构，从所述掺杂区域的两侧分别延伸，以共同呈环形闭合形状，将所述半导体区域划分为被所述隔离结构包围的高压侧区域，和位于所述隔离结构外围的低压侧区域；其中，漏极区域，设置于所述高压侧区域中，源极区域，设置于所述低压侧区域中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 电平移位器件结构
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