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申请/专利权人：合肥中聚和成电子材料有限公司
摘要：本发明涉及蚀刻液技术领域，具体公开了一种低损伤ITO蚀刻液。所述低损伤ITO蚀刻液，包括以下重量百分比的原料：5‑10%硝酸、3‑10%硫酸、0.1‑0.5%草酸、0.3‑1%铜层保护剂、0.1‑2%表面活性剂、0.5‑1.5%无机硝酸盐、0.01‑0.5%魔芋葡甘聚糖、余量为水；本发明的ITO蚀刻液中魔芋葡甘聚糖具有稳定的三维网络结构，与铜离子形成络合物附着在铜表面，成膜性较强，可以减少ITO蚀刻液对铜层的侵蚀；与铜层保护剂之间能够相互作用，在金属铜层的表面形成一层致密保护膜，有效避免了PR胶的表面出现黑色阴影的现象。
主权项：1.一种低损伤ITO蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的原料：5-10%硝酸、3-10%硫酸、0.1-0.5%草酸、0.3-1%铜层保护剂、0.1-2%表面活性剂、0.5-1.5%无机硝酸盐、0.01-0.5%魔芋葡甘聚糖、余量为水；所述铜层保护剂，由以下方法制得：S1、将松香酸加入对二甲苯中，抽真空，加热至80-100℃，通过恒压滴液漏斗缓慢滴加N-苯基乙二胺，10-20min滴加完毕，随后升温至110-120℃反应2-3h，再升温至180-200℃脱水2-4h，直至未有水析出时结束反应；降至室温，将反应液倒入水中，用30wt%氢氧化钠溶液调节pH值为7-8，析出固体，经减压过滤、真空干燥，得到化合物A；S2、将步骤S1所得的化合物A与1,4-对二氯苄加入乙醇中，80-90℃回流反应3-4h，反应结束后减压蒸馏除去溶剂，加入丙酮进行重结晶纯化，得到铜层保护剂；所述步骤S1中松香酸、N-苯基乙二胺与对二甲苯的质量比为30:13-15:40-50；所述步骤S2中化合物A、1,4-对二氯苄与乙醇的质量比为76-80:17:80-100。
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权利要求：
百度查询： 合肥中聚和成电子材料有限公司 一种低损伤ITO蚀刻液
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