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一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关 

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十研究所;中航技进出口有限责任公司

摘要:本发明公开了一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关,所述紧凑型射频收发切换开关包括:电压源V1和射频收发切换开关电路;所述射频收发切换开关电路包括:天线端口pin1、发射通路端口pin2、接收通路端口pin3,天线端口pin1与发射通路端口pin2之间设有第一n阶集总电感‑电容等效网路,发射通路端口pin2处设有一个由NMOS管NM1构成的开关并联到GND;天线端口pin1与接收通路端口pin3之间设有第二n阶集总电感‑电容等效网路,接收通路端口pin3处设有一个由PMOS管PM1构成的开关并联到GND;且射频收发切换开关电路的地电平为GND,供电电压为电源端VDD。本发明减小了开关的芯片面积、减小了射频信号通过收发切换开关时引入的插入损耗、提升了发射模式下开关的线性度性能。

主权项:1.一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关,其特征在于,所述紧凑型射频收发切换开关包括:电压源V1和射频收发切换开关电路;电压源V1负极与地端GND相连,电压源V1正极与电源端VDD相连;所述射频收发切换开关电路包括:天线端口pin1、发射通路端口pin2、接收通路端口pin3;天线端口pin1与发射通路端口pin2之间设有第一n阶集总电感-电容等效网路,发射通路端口pin2处设有一个由NMOS管NM1构成的开关通过电容C1并联到GND,其中,NMOS管NM1的漏极与发射通路端口pin2相连,NMOS管NM1的源极通过电容C1与地相连,NMOS管NM1的栅极由节点A的电平控制;天线端口pin1与接收通路端口pin3之间设有第二n阶集总电感-电容等效网路,接收通路端口pin3处设有一个由PMOS管PM1构成的开关通过电容C1并联到GND,PMOS管PM1的漏极与接收通路端口pin3相连,PMOS管PM1的漏极通过电容C1与地相连,PMOS管PM1的栅极由节点B的电平控制;且射频收发切换开关电路的地电平为GND,供电电压为电源端VDD。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第十研究所 中航技进出口有限责任公司 一种基于CMOS的紧凑型射频收发切换开关

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