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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置，涉及电路设计领域。本发明主要思想为通过消除读取后的回写过程来降低FRAM的读取功耗同时提高FRAM的寿命，虽然读取后不进行回写会导致存储的数据遭到破坏，但如果该数据只需要被读取一次，那么就不用关心其是否会被破坏的问题了。本发明利用FRAM读取后会有回写过程以保持数据的特点，针对读取后必定会在相同位置重新写入的场景，设计了一种可以选择读取后无回写过程的FRAM电路，降低了读时间、读功耗，提高了FRAM的使用寿命。
主权项：1.一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路，其特征在于，包括读写控制器模块、铁电存储器模块；读写控制器模块接收外部使能信号Readw_en，根据使能信号Readw_en的电平高低控制对铁电存储器模块的读写操作，铁电存储器模块为铁电存储器，负责提供非易失存储；读写操作的控制具体如下：外部提供使能信号Readw_en，当外部电路需对铁电存储器进行读写操作时，仅读取数据，不写入新数据，Readw_en电平为高，读写控制器模块的写过程为：按行写入，选中对应字线，对应位线施加电压，改变铁电存储器的存储单元状态，完成写入；读过程为：一位一位读出，选中对应字线，对应位线施加读取电压，读取数据，之后对读出的数据进行回写；当外部电路需对铁电存储器进行读写操作时，在每次读出数据后都会在原位写入新的数据，Readw_en电平为低，写过程为：按行写入，选中对应字线，对应位线施加电压，改变铁电存储器的存储单元状态，完成写入；读过程为：一位一位读出，选中对应字线，对应位线施加读取电压，读取数据。
全文数据：
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百度查询： 电子科技大学 一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置
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