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一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法 

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申请/专利权人:墨光新能科技(苏州)有限公司

摘要:本发明属于微纳米材料光学领域,具体涉及一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法,包括以下步骤:将硅酸盐玻璃原片分别用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗、烘干;用匀胶机选取乙醇乙二醇分散好的二氧化硅分散液,其中二氧化硅小球直径在200‑500nm;待分散液中溶剂挥发完成;在等离子体刻蚀仓中进行刻蚀,刻蚀气体CHF3、CF4任意一种或二者的组合,流量为45‑80sccm,刻蚀功率为75‑90W;清洗、烘干。本发明的优点在于:工艺简单;可以在不同种类的玻璃表面制备均匀亚波长微结构;减低反射效果好,单面空气‑玻璃反射从5.5%有效降低到3.2%以下,利于实现光学元件的集成。

主权项:1.一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:1将硅酸盐玻璃原片分别用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗、烘干;2用匀胶机选取乙醇乙二醇分散好的二氧化硅分散液,其中二氧化硅小球直径在500nm,分散液质量比为二氧化硅粉末:乙醇:乙二醇=30:35:35;3待分散液中溶剂挥发完成;4在等离子体刻蚀仓中进行刻蚀,刻蚀气体为CHF345sccm和CF415sccm,刻蚀功率75W,刻蚀时间6min;5清洗、烘干,最后形成顶部下凹的规则柱状阵列。

全文数据:

权利要求:

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