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申请/专利权人:广东省新兴激光等离子体技术研究院;等离子体装备科技(广州)有限公司
摘要:本申请涉及一种真空镀膜设备及真空镀膜方法,所述真空镀膜设备包括内设镀膜区与后处理区的真空腔室,在真空腔室的镀膜区与后处理区分界线位置处的竖直切面平面周围,分布设置有抽气口阵列;各个抽气口在控制下以设定的抽气速率进行抽真空,在竖直切面平面上产生一个预设气压范围的负压风屏;使得后处理区产生的粒子和气体分子在到达镀膜区与后处理区分界线位置时被负压风屏阻隔;该技术方案中,应用于采用转架作为工件架的真空镀膜设备中,无需对转架内部结构进行改进,降低了真空腔室的结构设计难度,避免了相互干扰。
主权项:1.一种真空镀膜设备,其特征在于,包括内设镀膜区与后处理区的真空腔室,在所述真空腔室的镀膜区与后处理区分界线位置处的竖直切面平面周围,沿着真空腔室外部分布设置有抽气口阵列;所述抽气口连接至真空泵,各个真空泵通过所述抽气口真空腔室进行抽真空;各个抽气口在控制下以设定的抽气速率进行抽真空,在所述竖直切面平面上产生一个预设气压范围的负压风屏;所述负压风屏在分界线上的气压最低,往两侧方向上气压会逐渐变高,通过改变抽气速率控制气压变化梯度,以控制在中心位置的负压达到设定的气压范围,使得中心位置气压能够阻隔粒子和气体分子通过;所述后处理区产生的粒子和气体分子从后处理区向镀膜区方向扩散,在到达镀膜区与后处理区分界线位置时被负压风屏阻隔。
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