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一种可以复合多重压力的多压力感测芯片 

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申请/专利权人:合肥智感科技有限公司

摘要:本实用新型提供了一种可以复合多重压力的多压力感测芯片,包括支撑衬底、感测薄膜以及绝缘层,支撑衬底、感测薄膜以及绝缘层自下而上依次设置,支撑衬底上分别设置有绝对压力测量区和绝对压力与相对压力测量区,且绝对压力与相对压力测量区设置在绝对压力测量区的一侧。本实用新型可以同时制作出多重压力感测范围或是绝对压力与相对压力感测传感器并存的双传感器,可扩展压力感测元件的运用场景和情境;利用C‑SOI架构,缩小了感测元件的尺寸,并简化了制成的难度,借由制成控制;当硅晶圆感测薄膜受到压力,产生形变,利用感测薄膜被腔体底部顶住,无法再形变,可提高低压力感测传感器的耐受压力,可以保证感测元件安全无虞。

主权项:1.一种可以复合多重压力的多压力感测芯片,包括支撑衬底4、感测薄膜1以及绝缘层5,其特征在于,所述支撑衬底4、感测薄膜1以及绝缘层5自下而上依次设置,且支撑衬底4、感测薄膜1以及绝缘层5彼此之间相互粘接,所述支撑衬底4上分别设置有绝对压力测量区2和绝对压力与相对压力测量区3,且绝对压力与相对压力测量区3设置在绝对压力测量区2的一侧;所述绝对压力测量区2包括多个真空密封腔一21和多个真空密封腔二22,且真空密封腔一21以及真空密封腔二22均蚀刻在支撑衬底4上,所述真空密封腔一21的腔体深度大于真空密封腔二22的腔体深度,且真空密封腔一21的腔体宽度小于真空密封腔二22的腔体宽度;所述绝对压力与相对压力测量区3包括多个真空密封腔三31和多个相对压力腔32,且真空密封腔三31以及相对压力腔32均蚀刻在支撑衬底4上,所述真空密封腔三31的腔体深度大于相对压力腔32的深度,所述真空密封腔三31的腔体宽度小于相对压力腔32的宽度。

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