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申请/专利权人：杭州致善微电子科技有限公司
摘要：本实用新型涉及一种单条栅单元，所述单栅条包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，所述沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度。栅极下方的沟道区域中，由于惰性区域的设置，具有电荷移动的导通区域面积减少，发热量降低，有效解决器件的自热效应带来的性能衰退的问题。
主权项：1.一种单条栅单元，包括衬底和设置在衬底上的栅极、源极和漏极，所述衬底具有位于所述栅极下方的沟道区域，其特征在于，所述沟道区域中具有阻断电子流通的惰性区域，惰性区域的宽度小于栅极宽度；所述沟道区域中具有第一镂空区域，所述第一镂空区域为惰性区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州致善微电子科技有限公司 一种减少发热量的单条栅单元
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