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申请/专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司

摘要：本发明提供了一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，在漂移层内形成屏蔽层、第二P型阱区、第二N型源区、第一P型阱区及第一N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，之后对漂移层以及第一P型阱区进行蚀刻直至屏蔽层上侧面，形成凹槽，对凹槽进行干氧氧化，形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，构建第二N型源区和第二P型阱区结构用来在漂移区提供大量电子，从而降低器件导通电阻。

主权项：1.一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，在漂移层内形成屏蔽层；步骤3、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，在漂移层内形成第二P型阱区；步骤4、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，在第二P型阱区内形成第二N型源区；步骤5、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，在漂移层内形成第一P型阱区；步骤6、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层进行离子注入，在漂移层内形成第一N型源区；步骤7、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，之后对漂移层以及第一P型阱区进行蚀刻直至屏蔽层上侧面，形成凹槽，对凹槽进行干氧氧化，形成栅介质层，所述栅介质层内设有沟槽；步骤8、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤9、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层，淀积金属，形成第一源极金属区；步骤10、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层，淀积金属，形成第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区，去除阻挡层，完成制备。

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