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申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要：本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种硅料破碎方法，包括以下步骤：根据分段尺寸对U型硅棒进行机械预处理；对U型硅棒进行加热‑骤冷处理，并使其断裂成多段硅料；将硅料进行二次加热‑骤冷处理后放入破碎装置中；启动气压脉冲设备向破碎装置供气，将硅料破碎成块状小料。通过对U型硅棒进行加热‑骤冷处理，利用U型硅棒内部的热应力使其产生裂缝，在加热‑骤冷操作前先进行机械处理使U型硅棒上形成环形刻槽，能够作为裂缝形成的起始点，促进加热骤冷过程中缝隙在环形刻槽处扩展，便于使U型硅棒分断成多段硅料，硅料上的裂缝有利于后续气压脉冲破碎硅料，通过气压脉冲的无接触式破碎方式减少多晶硅的污染，保证产品质量。
主权项：1.一种硅料破碎方法，其特征在于，包括以下步骤：根据分段尺寸对U型硅棒进行机械预处理；对U型硅棒进行加热-骤冷处理，并使其断裂成多段硅料；将硅料进行二次加热-骤冷处理后放入破碎装置中；启动气压脉冲设备向破碎装置供气，将硅料破碎成块状小料。
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百度查询： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 一种硅料破碎方法
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