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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括衬底、位于衬底上的介质层以及位于介质层上的介质掩膜材料层；在介质掩膜材料层上形成图形定义层；对图形定义层进行钝化处理，适于饱和图形定义层表面的悬挂键；进行钝化处理后，对图形定义层进行离子掺杂处理，掺杂有离子的图形定义层作为金属阻断层，剩余图形定义层作为牺牲层；去除牺牲层；以金属阻断层为掩膜图形化介质掩膜材料层形成介质掩膜层；以介质掩膜层为掩膜图形化介质层，在介质层中形成多个凹槽。本发明实施例有利于提高图形化介质层以形成凹槽的工艺效果。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的介质层、以及位于所述介质层上的介质掩膜材料层；在所述介质掩膜材料层上形成图形定义层；对所述图形定义层进行钝化处理，适于饱和所述图形定义层表面的悬挂键；进行所述钝化处理后，对所述图形定义层进行离子掺杂处理，掺杂有离子的图形定义层作为金属阻断层，剩余所述图形定义层作为牺牲层；去除所述牺牲层；以所述金属阻断层为掩膜，图形化所述介质掩膜材料层，形成介质掩膜层；以所述介质掩膜层为掩膜图形化所述介质层，在所述介质层中形成多个凹槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构的形成方法、晶体管
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