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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构,制造方法包括:提供基底,在所述基底上形成依次层叠的第一隔离层、第一稳定层、第二隔离层及第二稳定层;形成贯穿所述第一隔离层、所述第一稳定层、所述第二隔离层及所述第二稳定层的通孔,在所述通孔的侧壁及底部形成下电极;去除部分厚度的所述第二稳定层,露出部分所述下电极;在露出的所述下电极侧壁形成掩膜层,且相邻所述下电极侧壁的所述掩膜层相抵接;以所述掩膜层为掩膜,刻蚀所述第二稳定层,形成第一开口。本发明实施例能够简化生产工艺,提高电容的质量。
主权项:1.一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底上形成依次层叠的第一隔离层、第一稳定层、第二隔离层及第二稳定层;形成贯穿所述第一隔离层、所述第一稳定层、所述第二隔离层及所述第二稳定层的通孔,在所述通孔的侧壁及底部形成下电极;去除部分厚度的所述第二稳定层,露出部分所述下电极;在露出的所述下电极侧壁形成掩膜层,且相邻所述下电极侧壁的所述掩膜层相抵接;以所述掩膜层为掩膜,刻蚀所述第二稳定层,形成第一开口;其中,去除部分厚度的所述第二稳定层后,还包括步骤:形成填充满所述通孔的填充层;所述填充层为单层结构;且所述填充层与所述掩膜层在同一工艺步骤中形成。
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百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法及半导体结构
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