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光掩模钝化层制造方法 

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申请/专利权人:广州新锐光掩模科技有限公司

摘要:本申请提供一种光掩模钝化层制造方法,涉及光掩模的技术领域,其包括以下步骤:S1,获取晶圆结构;S2,将晶圆结构置于真空腔体中,向真空腔体中通入氧气和氯气,通过加载射频电源,产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行蚀刻,蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口;S3,通过加载射频电源,产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的侧边进行氧化反应,使得金属层被蚀刻出的侧边表面生成钝化层;S4,去除钝化层表面的阻挡层。通过氧离子基团和氯离子基团直接在干法蚀刻机台上,一次性完成晶圆结构的蚀刻及金属层表面钝化层的生成,进而省去了转移至Asher机台进行钝化层制作的工艺流程,摆脱了工艺流程的局限性,优化了制程,降低了工艺成本。

主权项:1.一种光掩模钝化层制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,获取晶圆结构,所述晶圆结构包括基底,所述基底上依次覆盖的金属层、钝化层及阻挡层;S2,将所述晶圆结构置于真空腔体中,向所述真空腔体中通入氧气和氯气,通过加载射频电源,产生氯离子基团对阻挡层、钝化层及金属层进行蚀刻,且蚀刻至基底表面停止,蚀刻出光刻图形的蚀刻窗口;S3,通过加载射频电源,产生氧离子基团与金属层被蚀刻出的侧边进行氧化反应,使得所述金属层被蚀刻出的侧边表面生成钝化层;S4,去除钝化层表面的阻挡层。

全文数据:

权利要求:

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