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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种2DGaSAlGaNII型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用。该紫外光探测器由下至上依次包括Si衬底层、AlNAlGaN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN层；AlGaN层上有SiO2窗口层、2DGaS层、第一金属电极；2DGaS层上有第二金属电极。本发明通过在AlGaN层上引入2DGaS层，利用2DGaS材料禁带宽度为3.05eV及其天然p型的特点，能够与AlGaN层实现II型异质结结构，在界面上形成内建电场，实现自驱动，完成光生载流子的有效分离和传输，产生更大的光电流，实现高响应的紫外探测器；该紫外光探测器在紫光波段拥有极高的带宽与0.82AW高的响应度。
主权项：1.一种2DGaSAlGaNII型异质结自驱动紫外光探测器，其特征在于，由下到上依次包括：Si衬底层1、AlNAlGaN缓冲层2、GaN缓冲层3、AlGaN层4；所述AlGaN层上有SiO2窗口层5、2DGaS层6、第一金属电极7-2；所述2DGaS层上有第二金属电极7-1；所述AlGaN层4的厚度为140～200nm；所述2DGaS层6的厚度为3～6nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种2D GaS/AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用
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