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申请/专利权人：海南航芯高科技产业集团有限责任公司
摘要：本实用新型公开了一种IGBT大尺寸芯片封装单元，包括铺设于散热基板上的导电片、焊接于导电片上的两组芯片组，以及导电连接件，每一芯片组包括一个IGBT芯片和一个二极管芯片，导电片包括一G极导电片、一大导电片和一并联导电片，所有芯片组的芯片焊接于大导电片上，且IGBT芯片临近G极导电片，导电连接件包括并联CLIP结构，并联CLIP结构包括焊接于G极导电片上的一个第一焊接端、与芯片组一一对应并焊接于每一IGBT芯片的G极的G极焊接端、连接一个第一焊接端和两个G极焊接端的连接桥。本实用新型可有效减少焊接点和焊接用料。本实用新型还公开了一种大尺寸IGBT功率装置。
主权项：1.一种IGBT大尺寸芯片封装单元，其特征在于：包括铺设于散热基板上的导电片、焊接于所述导电片上的两组芯片组，以及将导电片和芯片组焊接在一起的导电连接件，每一所述芯片组包括一个IGBT芯片和一个二极管芯片，所述导电片包括一G极导电片、一大导电片和一并联导电片，所有所述芯片组的芯片焊接于所述大导电片上，且所述IGBT芯片临近所述G极导电片，所述二极管芯片临近所述并联导电片，所述导电连接件包括并联CLIP结构，所述并联CLIP结构包括焊接于所述G极导电片上的一个第一焊接端、与所述芯片组一一对应并焊接于每一所述IGBT芯片的G极的G极焊接端、连接一个所述第一焊接端和两个所述G极焊接端的连接桥。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海南航芯高科技产业集团有限责任公司 IGBT大尺寸芯片封装单元及大尺寸IGBT功率装置
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