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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
摘要：本申请提供一种逆向光刻方法及模型的训练方法、装置、设备及介质，包括：根据光刻目标图案和预置的掩模版的光学性质信息生成光学特征图像，其中，光学性质信息用于表征第一光学参数和第二光学参数之间的差异，第一光学参数是指掩模版图形化后的光学特性，第二光学参数是指掩模版未进行图形化的光学特性，光学特征图像用于表征光刻目标图案的光学成像特征；调用的神经网络模型根据光刻目标图案和光学特征图像进行分析运算，得到掩模图案，其中，分析运算是基于光刻目标图案的几何特征和光学成像特征，预测掩模图案的几何特征的运算过程。本申请极大地降低了生成掩模图案的计算资源和计算时间。
主权项：1.一种基于神经网络模型的掩模图案的逆向光刻方法，其特征在于，包括：根据光刻目标图案和预置的掩模版的光学性质信息生成光学特征图像，其中，所述光学性质信息用于表征第一光学参数和第二光学参数之间的差异，所述第一光学参数是指所述掩模版图形化后的光学特性，所述第二光学参数是指所述掩模版未进行图形化的光学特性，所述光学特征图像用于表征所述光刻目标图案的光学成像特征；调用预置的神经网络模型根据所述光刻目标图案和所述光学特征图像进行分析运算，得到掩模图案，其中，所述分析运算是基于所述光刻目标图案的几何特征和光学成像特征，预测所述掩模图案的几何特征的运算过程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 逆向光刻方法及模型的训练方法、装置、设备及介质
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