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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一具有伪MOS表征结构的绝缘体上硅SOI晶圆，SOI晶圆至少包括从下至上依次层叠的衬底、埋氧层、硅膜层和电极；获取埋氧层和硅膜层之间的界面态电容值、埋氧层的电容值、以及硅膜层在栅电流峰值下对应的电容值；将界面态电容值、埋氧层的电容值和硅膜层在栅电流峰值下对应的电容值，代入预先构建的电容计算模型中，确定SOI晶圆的总电容值的变化量；根据SOI晶圆的总电容值的变化量确定埋氧层和硅膜层之间的界面态密度大小。上述方法可以通过SOI晶圆的总电容值的变化量快速准确的反映出埋氧层和硅膜层之间的界面态密度大小。
主权项：1.一种基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：提供一具有伪MOS表征结构的绝缘体上硅SOI晶圆，所述SOI晶圆至少包括从下至上依次层叠的衬底、埋氧层、硅膜层和电极；获取所述埋氧层和所述硅膜层之间的界面态电容值、所述埋氧层的电容值、以及所述硅膜层在栅电流峰值下对应的电容值；将所述界面态电容值、所述埋氧层的电容值和所述硅膜层在栅电流峰值下对应的电容值，代入预先构建的电容计算模型中，确定所述SOI晶圆的总电容值的变化量；根据所述SOI晶圆的总电容值的变化量确定所述埋氧层和所述硅膜层之间的界面态密度大小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法
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