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申请/专利权人：谢雨琳
摘要：本发明公开了一种提高SiCMosfet芯片界面质量和迁移率提升的方法，包括去除残留在SiC晶圆表面的缺陷；在SiC晶圆表面沉积一层Si薄膜；放入炉管内，加氧，在750℃温度下对器件进行氧化，形成栅氧SiO2薄膜；然后将获得的芯片进行N2氮化处理，温度设置在1400℃‑1600℃内，对氮化处理后的芯片进行清洗，本发明方法利用Si和SiC氧化起始温度不同，达到750℃仅氧化硅薄膜而不会氧化SiC，因此无残余的C产生缺陷，解决了SiCMosfet的热氧化问题，能够将SiC性能提升10倍，不采用具有剧毒的一氧化氮，而是在高温N2气体中进行热处理来提高芯片的界面质量，大大提高SiCMosfet芯片的良率和可靠性。
主权项：1.一种提高SiCMosfet芯片界面质量和迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、用蚀刻法去除残留在SiC晶圆表面的缺陷；S2、在SiC晶圆表面沉积一层Si薄膜；S3、将步骤S2中的器件放入炉管内，加氧，在750℃温度下对芯片进行氧化，使SiC晶圆表面形成栅氧SiO2薄膜；S4、将步骤S3获得的芯片进行氮化处理，温度设置在1400℃-1600℃内；S5、清洗氮化处理后的芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 谢雨琳 一种提高SiC Mosfet芯片界面质量和迁移率的方法
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