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申请/专利权人：深圳市创飞芯源半导体有限公司
摘要：本申请提供一种沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法，所述沟槽型MOSFET器件，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，所述外延层在所述衬底上生长，且具有所述第一导电类型；多个第一沟槽，形成于所述外延层中，所述多个第一沟槽等间距排列且所述多个第一沟槽的宽度相同；栅极氧化层，形成在所述多个第一沟槽内，从而能够降低沟槽型MOSFET的外延区电阻，提高击穿电压，同时简化生产工艺，降低成本。
主权项：1.一种沟槽型MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，所述外延层在所述衬底上生长，且具有所述第一导电类型；多个第一沟槽，形成于所述外延层中，所述多个第一沟槽等间距排列且所述多个第一沟槽的宽度相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市创飞芯源半导体有限公司 沟槽型MOSFET器件及制备方法、电子设备及制备方法
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