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申请/专利权人：天津晶德科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种带有保护结构的SiCMOSFET器件，包括SiC基板、P型区以及栅极区，P型区以及栅极区布置在所述SiC基板的一侧，还包括用于对器件进行缓冲保护的缓冲模块、用于对器件进行降温的散热模块以及用于维持器件稳定性的漂移模块，缓冲模块设置在P型区以及栅极区的一侧，散热模块配置在所述SiC基板远离缓冲模块的一侧，漂移模块布置在P型区以及栅极区与所述SiC基板之间，缓冲模块包括缓冲支架、弹性组件以及缓冲板，所述缓冲支架设置在漂移模块远离所述SiC基板的一侧，本实用新型的有益效果是设有缓冲模块，可以对外界冲击进行减缓以有效提升器件的耐冲击性能，降低其在受到外界冲击时出现损坏的可能性。
主权项：1.一种带有保护结构的SiCMOSFET器件，包括SiC基板1、P型区以及栅极区，P型区以及栅极区布置在所述SiC基板1的一侧，其特征在于，还包括用于对器件进行缓冲保护的缓冲模块、用于对器件进行降温的散热模块以及用于维持器件稳定性的漂移模块，缓冲模块设置在P型区以及栅极区的一侧，散热模块配置在所述SiC基板1远离缓冲模块的一侧，漂移模块布置在P型区以及栅极区与所述SiC基板1之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津晶德科技有限公司 一种带有保护结构的SiC MOSFET器件
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